尽管目前市场上SiC衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未大规模普及，但国内SiC衬底头部厂商普遍都在积极布局8英寸，其中就包括南砂晶圆。
图片来源：拍信网正版图库
早在2022年9月，南砂晶圆就联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶，并加工成厚度为520μm的8英寸4H-SiC衬底。
为加速8英寸SiC衬底产业化，南砂晶圆8英寸SiC单晶和衬底项目于2023年6月12日落地山东济南，成立于2023年5月的中晶芯源是该项目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案。
今年3月，南砂晶圆总经理王垚浩在接受采访时表示，该公司正在积极扩产济南厂区，计划将中晶芯源项目打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地，投资额15亿元，于2025年实现满产达产。
而在近日，中晶芯源8英寸SiC项目传出了最新进展。6月22日，新一代半导体晶体技术及应用大会在济南开幕。开幕式上，中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投产。
目前，南砂晶圆致力于降本增效。今年5月，南砂晶圆与中机新材签订了战略合作框架协议。后者已在第三代半导体晶圆研磨抛光应用领域取得多项关键性技术突破，其首创的团聚金刚石技术，替代了多晶和类多晶，有效解决了生产过程中的环保和成本痛点。与中机新材合作，南砂晶圆有望在SiC产线关键环节实现降本。
伴随着8英寸SiC项目投产，南砂晶圆有望进一步降低成本、提升SiC衬底产品竞争力，进而获取更多的市场份额。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。