据外媒报道，6月19日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Key Foundry（启方半导体）宣布，公司已确认650伏氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的特性，正加大开发力度，预计年内完成开发。
因GaN具有高速开关和低电阻特性，它被称为下一代功率半导体，比现有的硅（Si）基半导体具有更低的损耗、更高的效率和小型化。其主要应用于电源、混合动力和电动汽车、太阳能逆变器等。
SK Key Foundry计划为现有的功率半导体用户推广650V GaN HEMT，同时发掘新客户。此外，该公司还计划增加一个GaN产品组合，为GaN HEMT和GaN IC提供各种电压。
SK Key Foundry首席执行官Lee Dong-jae表示：“除了具有竞争力的高压BCD之外，我们还在为下一代功率半导体做准备。未来，我们还将扩大功率半导体产品组合，除了GaN还有SiC，将自己打造成一家专业的功率半导体代工厂。”（集邦化合物半导体Morty编译）
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