6月12日晚间，英诺赛科向港交所递交上市申请，联席保荐人为中金公司、招银国际。
2023年营收增长335.2%
自2019年10月，OPPO Reno Ace首次将氮化镓技术应用于充电器以来，基于氮化镓材料而研制的功率器件，凭借更高的电流密度、迁移率以及优秀的耐热性、导电性和散热性，在诸多应用领域持续开疆拓土。
2023年，氮化镓的发展逐渐进入繁荣期。虽受限于技术水平，应用领域仍以消费电子为主，但其在电动车、工业、数据中心等更高功率市场的应用也正稳定发展，未来前景十分值得期待。
图源：英诺赛科招股说明书
目前，氮化镓正在从6英寸转向8英寸，而英诺赛科作为氮化镓领域的“实力派”选手，一直备受瞩目。
据悉，英诺赛科是国内第一家氮化镓IDM企业。招股说明书中，英诺赛科表示，公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。英诺赛科的产品包括分立器件（覆盖15V至1,200V）、集成电路、晶圆及模块，应用领域涵盖消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等。
产能方面，截至2023年底，公司的产能达10,000片/月，同时良率高于95%，位居行业前列。
高产能、高良率的产品线是英诺赛科业绩的基石。截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，英诺赛科累计出货量超过5亿颗，营业收入则从2021年的0.68亿元增加99.7%至2022年的1.36亿元，并进一步增加335.2%至2023年的5.93亿元。
英诺赛科还指出，2023年来自氮化镓功率器件业务的营收为人民币5.93亿元，在全球所有氮化镓功率器件公司中，公司排名首位，市场份额为33.7%。
本次申请港股上市，英诺赛科计划将IPO募集所得资金净额用于以下项目：
1、50.0%用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能（从截至2023年12月31日的每月10,000片晶圆扩大至未来五年每月70,000片晶圆）、购买及升级生产设备及机器及招聘生产人员。
2、17.0%用于偿还银行贷款；
3、15.0%用于研发及扩大产品组合，以提高终端市场（如消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心）中氮化镓产品的渗透率；
4、8.0%用于扩大氮化镓产品的全球分销网络；
5、10.0%用于营运资金及其他一般公司用途。
中国企业狂奔
目前，氮化镓的主要创新主体仍以国际企业为主，并主要集中在欧美日，但中国的氮化镓产业链也在持续完善。
技术方面，北京大学团队研发了增强型p型栅氮化镓（GaN）晶体管，并首次在高达4500V工作电压下实现低动态电阻工作能力；
西安电子科技大学联合致能科技于4月份展示了全球首片8英寸蓝宝石基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）晶圆器件，通过调控外延工艺，其氮化镓外延片不均匀性控制在4%以内，所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%，击穿电压突破了2000V。
项目方面，2024年1月份，晶湛半导体氮化镓外延片生产扩建项目正式竣工。项目预计年产6英寸氮化镓外延片12万片，8英寸氮化镓外延片12万片；
中瓷电子子公司博威第三代半导体功率器件产业化项目已建成并投入使用，项目主要产品为氮化镓通信基站射频芯片与器件等产品，产能规划为600万只/年；
能华半导体张家港制造中心（二期）项目于4月18日开工建设。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。
从外延到功率器件的设计及制造，国内企业持续提升研发及生产、制造能力。TrendForce集邦咨询《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。而在这个市场，中国企业将不会缺席。（文：集邦化合物半导体 Winter）
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