6月11日，广东汇成真空科技股份有限公司（以下简称汇成真空）在投资者互动平台表示，其与武汉理工大学签订了《碳化硅晶圆外延单片机热、流场设计的技术开发合同书》，合作内容为双方共同参与SiC晶圆外延单片机系统中真空系统、温场、气路系统的设计。
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官网资料显示，汇成真空成立于2006年，是一家面向全球的真空应用解决方案提供商，研发、生产和销售光学镀膜设备、功能性薄膜涂层设备、装饰涂层设备、卷绕镀膜设备、汽车零部件镀膜设备、连续式磁控溅射镀膜生产线、超高真空系统等真空设备、ALD原子层沉积设备、半导体设备、电子生产设备、光电设备、光伏设备、动力电池设备及产品相关配件，专注设备与产品的相关制造工艺和应用技术、控制软件、工艺流程控制软件及相关生产自动化软件的研发、应用。
?技术方面，汇成真空重点发展连续式磁控镀膜生产线、柔性薄膜卷绕镀膜技术、光学镀膜技术及离子镀膜技术，包括非平衡磁控、中频磁控溅射、电弧蒸发源、离子源辅助镀膜、电子束蒸发、PECVD等多种核心技术组合，针对每个行业的特殊需求，将尖端设备技术和综合工序以及应用专业技术相结合，从研发、原型制作到批量生产，提供定制化的真空应用工艺技术及设备解决方案。
SiC业务方面，近日，汇成真空公开一项“一种高均匀性碳化硅高温氧化炉”专利，申请公布号为CN117824353A，申请日期为2024年1月2日。
该专利摘要显示，本发明公开了一种高均匀性碳化硅高温氧化炉，其包括工艺腔体、晶圆架、炉门、预加热腔和旋转机构，炉门通过升降机构安装在工艺腔体的下方，工艺腔体内部设有工艺炉管和加热器，晶圆架通过旋转机构安装在炉门上，使用时由旋转机构带动晶圆架转动；预加热腔安装在工艺腔体的上面，预加热腔通过气体通道与工艺炉管连通，预加热腔内设有预加热装置，预加热腔上设置进气口，工艺腔体的远离预加热腔的位置设置抽气口；使用时从进气口输入工艺气体，工艺气体经预加热腔的预加热装置加热后再进入工艺炉管内，同时从抽气口抽出气体。本发明能更均匀的对内部的晶圆片进行加热，从而得到更高质量的碳化硅栅氧层。
6月5日，汇成真空首次公开发行股票并在深交所创业板成功上市。（集邦化合物半导体Zac整理）
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