近日，北京飓芯科技有限公司（以下简称飓芯科技）和深圳芯能半导体技术有限公司（以下简称芯能半导体）旗下两个第三代半导体相关项目相继披露最新进展。
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国内首条GaN半导体激光器芯片量产线投产
近期，飓芯科技国内首条GaN半导体激光器芯片量产线投产发布会于广西柳州举行，标志着GaN半导体激光器芯片实现了进口替代和自主可控。
据悉，由于技术门槛较高，国际上只有少数企业掌握该芯片的生产制造技术。为解决GaN激光器芯片“卡脖子”问题，飓芯科技建成了国内首条GaN半导体激光器芯片量产线，产线包含8大工艺站点，拥有半导体量产设备100余台，涵盖衬底、外延、工艺与封测等各生产环节。
目前，北京大学胡晓东团队已经攻克了GaN半导体激光器相关的主要科学和技术问题，建立了芯片制备技术中的8大核心工艺，打破了国外企业长期的技术垄断。
此外，半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队已经研制出GaN基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
资料显示，GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化等领域有重要的应用。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成，缺陷多、发光效率低，器件研制难度大，瓦级大功率紫外激光器一直是国际相关领域研究的热点，但关键技术尚未完全攻克，大功率紫外激光器是国际公认的技术壁垒。
芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房完成交接
近日，芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接仪式在合肥安巢经开区举行，本次交接项目为一栋三层半结构，约13000m2。
官网资料显示，芯能半导体成立于2013年9月，专注功率芯片、驱动芯片设计开发，产品包括分立器件(Discrete)、智能功率模块(IPM)以及标准功率模块(PIM)，广泛应用于工控、家电、以及新能源汽车等领域。
芯能半导体总部位于深圳，在浙江义乌建有车规级功率模块制造基地，在深圳、上海、苏州设有研发中心，并在深圳、上海、苏州、青岛、顺德、杭州等地建立了销售办事处。目前，芯能半导体合作客户超过1000家，广泛分布于小家电、白色家电、工控、新能源汽车、以及太阳能逆变器等领域。
2023年5月，芯能半导体与合肥市政府签署项目合作协议，将在合肥安巢经开区建设10条IGBT、5条SiC MOS自动化生产线，产品应用于新能源汽车、太阳能和家电等行业。
据透露，芯能半导体合肥项目专注于大功率模块封测，项目整体建成达产后，预计可实现年产480万只IGBT模块和60万只SiC MOS模块。
产品方面，芯能半导体去年7月发布了IPM29 SiC MOS智能功率模块新产品。作为紧凑的1200V等级封装，这款SiC MOSFET IPM使用简便，针对SiC定制优化驱动部分，能够有效减小开关振荡。（集邦化合物半导体Zac整理）
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