3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称“东芝”）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700 V、漏极电流（DC）额定值为250 A的SiC MOSFET模块“MG250V2YMS3”，并扩大了产品阵容。
source：东芝
据介绍，新产品MG250V2YMS3具有低导通损耗和0.8 V的低漏源导通电压。它还具有低开关损耗，导通开关损耗低至18 mJ，关断开关损耗低至 11 mJ。这有助于减小设备的功率损耗和冷却装置的尺寸。
MG250V2YMS3 具有12 nH的低杂散电感，并且能够进行高速开关。此外，它还能抑制开关操作时的浪涌电压。因此，它可用于高频隔离型DC-DC转换器。
目前，使用东芝2-153A1A封装的SiC MOSFET模块有四种产品：MG250YD2YMS3（2200 V / 250 A）、MG400V2YMS3（1700 V / 400 A）和MG600Q2YMS3（1200 V / 600 A），以及本次发布的新产品。这给客户提供了更广泛的产品选择。
集邦化合物半导体Morty编译
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