3月5日，据《路透社》旗下IFR报道，英诺赛科正计划最早于今年内，在香港进行IPO，融资规模约3亿美元。
消息还指出，英诺赛科正与中金公司、招银国际就上市一事进行合作。
据悉，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业。而在过去的2023年里，英诺赛科可谓硕果累累。
产品及技术方面，2023年英诺赛科基于8英寸硅基氮化镓的研发平台，不断更新迭代，共推出了46款新产品，应用领域涵盖从消费家电到数据中心、光伏与储能，再到汽车电子，不断为终端应用注入新能量。
其中，车规级产品INN100W135A-Q已通过AEC-Q101认证。据悉，该产品适用于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器和D类音频等。
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此外，2023年11月，英诺赛科全球研发中心正式启用，研发中心将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
市场开拓方面，英诺赛科的产品已在消费类（快充、手机、LED）、汽车激光雷达、数据中心、新能源与储能领域的多个应用中大批量交付。2024年2月23日，英诺赛科官方表示，公司于2023年累计出货量超5亿颗，目前市占率达30%以上，位居全球第一。
产能方面，英诺赛科采用IDM全产业链模式，现拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，产能达到每月15000片，并将在未来逐渐扩大至每月70000片以上。英诺赛科表示，公司是全球产能最高的氮化镓器件厂商。（集邦化合物半导体 Winter整理）
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