近日，江苏南京江宁开发区总投资10亿元的国博射频集成电路产业化二期项目正在进行地下室主体结构施工，预计明年7月份主体封顶，2026年正式投产。
图片来源：拍信网正版图库
据悉，国博射频集成电路产业化项目由南京国博电子有限公司投资建设，占地面积约203亩，总投资30亿元，新建厂房及附属设施，新增设备五百余台套。项目分两期建设，其中一期用地面积约103亩，建筑面积约15.1万平方米；二期用地面积约100亩，建筑面积约7.6万平方米。
上述一期项目投资额20亿元，中试厂房、芯片厂房、模块厂房等设施已于2023年竣工投产；二期项目将重点补充射频集成电路封测制造能力，建成后与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力，打造成为宽禁带半导体器件及模块供应商、5G通信技术国内发展先行者。
据中国电子科技集团公司第五十五研究所发布的信息显示，国博电子是其下属控股公司，专业从事集成电路、射频微波模块及子系统研发、生产和销售，具有30多年射频微波集成电路、模块产品开发和生产经验。公司产品性能达到国际先进水平，广泛应用于移动通信、微波毫米波通信、卫星通信等系统，打破了国外的技术垄断。
2018年，国博电子在南京江宁开发区启动了上述“射频集成电路产业化”建设项目，建成后，将形成年产化合物半导体原片6万片、射频基础电路5亿只、射频模块1000万只的设计制造能力，满足5G及未来移动通信基站和终端市场需求。
此前有媒体报道称，上述“年产化合物半导体原片6万片”，为“6英寸工艺氮化镓（GaN）射频功率器件制造”。
2019年，国博电子曾表示，公司在基站和终端的小信号产品以及中功率产品方面都实现了批量化量产，目前正在进入的领域主要有GaN大功率器件，以及毫米波基站多通道硅基相控阵芯片以及III-V族毫米波射频收发前端芯片。
值得一提的是，江宁开发区是国内较早布局第三代半导体产业的开发园区，2023年全年，园区新引进英诺赛科、博锐半导体、芯干线等一批产业项目。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。