天眼查资料显示，1月12日，宏微科技公开一项“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”专利，申请公布号为CN117393605A，申请日期为2023年11月7日。
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该专利摘要显示，本发明提供一种SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率MOSFET器件包括：SiC衬底；N-外延层，所述N-外延层位于所述SiC衬底之上；有源区，所述有源区为多个，多个所述有源区相间隔地排布于所述N-外延层之上；JFET区，所述JFET区位于所述N-外延层之上，且位于两个相邻的的所述有源区之间，所述JFET区内设有浅沟槽结构，所述浅沟槽结构设有固定深度，所述浅沟槽结构与所述有源区之间设有固定距离；多晶硅栅层，所述多晶硅栅层位于所述有源区和所述JFET区之上；隔离层，所述隔离层位于所述多晶硅栅层之上；金属层所述金属层位于所述隔离层之上。本发明能够在MOSFET器件的集电极加高压的反向截止时，抑制短沟效应，防止MOSFET器件被击穿。
资料显示，宏微科技成立于2006年8月，从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案，主要产品有IGBT、FRED、MOSFET、整流桥、晶闸管、SiC模块等。
近年来，宏微科技在SiC领域进展较快。2023年3月，宏微科技在接受机构调研时表示，2022年公司几款SiC混合模块已批量出货。自产的SiC SBD单管也在2022年年末有样品在客户端测试；SiC MOS也在流片中。
2023年11月，宏微科技在接受机构调研时称，SiC MOS已实现样品产出，预计于2024年第一季度将成品交付客户使用。在被问及液冷充电桩项目时，宏微科技表示，公司用于液冷充电桩的SiC器件产品正在开发阶段，预计2024年上半年将进入送样验证阶段。
随后在12月，宏微科技再次对SiC业务进展情况进行了介绍。宏微科技称，公司自主研发的SiC二极管及MOS芯片已经逐步定型和小批量。
据宏微科技介绍，公司主要的SiC产品分两类，一类是目前出货量较大，主要用在光伏领域的混封产品；第二类是出货量相对较小的纯SiC封装产品，2024年预计会有较大幅度的增长。（集邦化合物半导体整理）
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