12月16日，河南通用智能装备有限公司（以下简称通用智能）自主研发的8英寸碳化硅（SiC）晶锭剥离产线正式交付客户。
据通用智能介绍，由于SiC高硬度、高脆性特点，在SiC器件制造领域存在一个难点——晶锭分割工艺过程。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低且损耗高。通用智能采用激光隐切技术完成SiC晶锭分割工艺过程，成功实现8英寸SiC晶锭剥离设备的量产。
据悉，激光隐形切割（Stealth Dicing，简称SD）是一种先用激光能量切割晶圆的内部，再向贴附在背面的胶带施加外部压力，使其断裂，从而分离芯片的方法。当向背面的胶带施加压力时，由于胶带的拉伸，晶圆将会瞬间向上隆起，从而使芯片分离。相对传统的激光切割法，SD的优点包括：没有硅碎屑；切口窄，可以获得更多芯片；此外，使用SD方法剥落和裂纹现象也将减少，提高晶圆切割整体质量。
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资料显示，通用智能成立于2019年，致力于高端半导体产业装备与材料的研发和制造。2020年通用智能推出具备完全自主知识产权的晶圆激光隐形切割设备，填补了国内空白，打破了国际垄断。该设备在关键性参数上处于国际先进水平，并已申报知识产权307件、发明专利56件、软件著作权21件、外观专利4件、实用新型226件。
融资方面，通用智能在2021年8月和2023年8月分别完成天使轮和A轮融资，投资方包括天演基金、拉萨楚源、浑璞投资、东北证券、鼎心资本等机构。
值得关注的是，近期，国内SiC设备相关厂商迎来收获期。高测股份近日在接受调研时表示，公司可兼容6英寸和8英寸SiC衬底切割需求的SiC金刚线切片机已签订超10台订单，截至目前，公司SiC切片机累计签单已超40台；与此同时，宇晶股份在接受调研时表示，公司SiC切割、研磨、抛光设备已实现批量生产和销售；此外，宇环数控近日在投资者互动平台表示，公司与客户正在积极推进SiC设备的打样和销售进程。（集邦化合物半导体Zac整理）
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