瑶光半导体激光退火设备顺利验收
据瑶光半导体官微消息，近日，瑶光半导体激光退火设备顺利通过验收。
该设备已在客户新产线投入生产使用，该产线计划年产一亿颗功率芯片和1万片6英寸SiC外延片，同时包括“10万片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成电路”。
据官微介绍，瑶光半导体自主研发的SiC/Si基激光退火设备，广泛应用于硅基IGBT离子掺杂激活和碳化硅背面电极镀膜退火等多个工艺。其微秒级的控制系统、晶圆厚度测量功能以及出色的光学整形装置，为晶圆的退火工艺提供了高效的解决方案。
此前报道，瑶光是浙江工业大学莫干山研究院今年引进的重点项目，主要从事第三代宽禁带半导体制程设备的研发、生产和销售。目前公司已完成瑶光闭环温度控制系统，并拥有瑶光功率芯片背面激光退火方法，自主创新瑶光SiC外延生长方案，惰性气体屏障技术等多项专有技术。
除了SiC激光退火设备，瑶光半导体旗下设备“星型SiC MOCVD”（ES600)预计今年四季度完成研发。
SiC晶圆激光退火技术（LSA）相对于传统高温热退火技术（RTA），具有升温极快、控制灵敏、热传导深度浅、连续能量输出稳定等特点，逐渐成为了新一代主流退火技术。作为该技术载体的激光退火设备，也因SiC等功率半导体的技术升级和需求增长，市场正不断扩大。
在激光退火设备领域，市场主要由相干（Coherent）、Veeco、应用材料（Applied Materials）、日立、日本制钢所等国外大厂占据。我国该市场起步晚，很多国内企业的激光退火设备都依赖进口。近年来，政府与国内企业不断加大激光退火设备研发力度，加速激光退火设备的国产化进程。目前，国内我国制造激光退火设备的企业有大族激光、北京华卓精科、成都莱普特、上海微电子等。
随着瑶光半导体等布局企业增加，国内激光退火设备竞争将更加激烈，同时，更多企业共同推动能有效促进行业技术升级，加快缩短国内企业与国际大厂之间的差距，为争取更多市场份额、实现国产替代做准备。
图片来源：拍信网正版图库
优睿谱成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200
优睿谱半导体设备(无锡)有限公司（下文简称“优睿谱”）近日成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200，即将交付客户验证。
据介绍，SICV200是一款用于测量硅片电阻率、SiC或其它半导体材料掺杂浓度的半导体量测设备，可支持对包括12英寸在内的各种不同尺寸晶圆，进行可持多频率下CV特性分析。机台配置上，SICV200具有各种尺寸的半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案，可直接对接客户工厂MES系统，实现自动化生产。
优睿谱总经理唐德明博士介绍，在衬底上进行同质外延时，载流子浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子浓度以及外延层的质量，方便且无损地对半导体材料进行测量分析，为优化外延生长工艺提供依据和支持。
优睿谱成立于2021年，专注于半导体前道量测设备的研发、设计、制造、销售与服务。
据悉，半导体前道量测设备是半导体芯片制造过程中的核心设备之一，技术门槛高，对提高产品良率、降低生产成本、推进工艺迭代起着重要作用。目前，虽然中国大陆已经成为全球最大的前道量检测市场，但国内厂商市场份额占比仍然较小。
随着国内半导体行业的快速发展，对前道量测设备的需求量持续走高，与此同时，由于地缘政治和国外企业产能等因素影响，使得国产替代需求迫切。
面对技术落后的处境，国内企业在加速追赶——上海精测、中科飞测等在前道量测设备领域取得了一定的进展。值得一提的是，前不久，中导光电的纳米级图形晶圆缺陷光学检测设备（NanoPro-150）实现了再次交付。
随着技术更迭和行业认可度的提升，在本土巨大的前道量检测市场，国内厂商大有可为。（集邦化合物半导体Morty整理）
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