近日，飞锃半导体自主研发的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ车规级SiC MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级可靠性认证，并且通过了960V高压H3TRB加严测试,使得飞锃半导体成为国内少数SiC功率分立器件产品通过双重考核的厂商之一。
其中，飞锃半导体1200V车规级SiC MOSFET采用18V/20V栅极驱动电压，650V车规级SiC MOSFET采用15V栅极驱动电压。
资料显示，飞锃半导体是中国第三代半导体供应商，专注于SiC功率半导体器件的研发、生产和销售，已经在新能源汽车、直流充电桩、光伏及储能、智能家居等国内头部企业成功部署应用，为他们提供优化的SiC产品，为碳中和提供解决方案。
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据飞锃半导体介绍，这次飞锃半导体通过车规认证的SiC MOSFET器件最大耐压等级为1200V，而AEC-Q101在H3TRB（高温高湿反偏试验）考核标准中耐压通常为100V。通过HV-H3TRB（高压高温高湿反偏试验）考核，则需要将1200V耐压器件的耐压提高到960V。这意味着对于器件的设计、制造和封装技术提出了更为苛刻的要求。飞锃半导体车规级SiC MOSFET通过HV-H3TRB可靠性验证，表明功率器件在极端运行环境下仍然具备出色的耐受能力和使用寿命。
在产品结构上，飞锃半导体第二代车规级SiC MOSFET通过工艺优化，降低了单位晶圆面积内的导通电阻，优化了开关性能。另外，还采用了开尔文Source封装，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，提升了器件的开关速度、抗干扰能力。
飞锃半导体针对新能源汽车推出了6.6KW OBC、11KW OBC、2-3KW 车载DCDC等应用方案。其中，适用于6.6KW OBC方案的产品型号包括ACM060F065QANC、ACM045F065QANC、ACM030F065QANC，适用于11KW OBC方案的产品型号包括ACM035P120QAN、ACM070P120QAN、ACM035P120HAN、ACM070P120HAN，适用于2-3KW 车载DCDC方案的产品型号包括ACM160P120QAN、ACM160P120HAN。
目前，飞锃半导体车规级SiC MOSFET已经商业化量产，将逐步批量供货。（集邦化合物半导体Zac整理）
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