近日据EeNews Europe报道，英飞凌绿色工业动力部门（GIP）总裁Peter Wawer近期在受访时透露，英飞凌正在其位于Villach的工厂生产8英寸SiC晶圆的电子样品。他表示，英飞凌目前使用6英寸晶圆，但已经在工厂制备了第一批8英寸晶圆机械样品，很快将它们转化为电子样品，并将在2030年之前大规模量产应用。
由此可见，英飞凌SiC晶圆的尺寸升级和产能建设都在稳步推进当中，未来几年，将实现较大进展。
据Wawer介绍，在2001年，英飞凌比Cree早两个月推出了首款SiC二极管。公司早期开发是围绕JFET进行的，因为栅极氧化物可靠性问题使公司认为这是正确的出路。随后SiC MOSFET面世，英飞凌在这方面起步较晚。
尽管Wawer认为英飞凌在SiC MOSFET方面并非先行者，但在整个SiC赛道，英飞凌似乎进展相当迅速。SiC批量市场目前以1200V产品为主，但英飞凌目前已开发3300V SiC部件。而且英飞凌对公司在2025财年的SiC营收，将提前实现10亿欧元的目标充满了信心。
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英飞凌的信心来源于多个方面，其中包括对SiC未来发展潜力的感知、产能方面的大手笔扩建、将多个领域头部客户收入囊中、对未来市场份额的乐观预估。
SiC未来发展潜力巨大已成为行业共识。英飞凌预计在本十年内，全球电网的年度投资将从3000亿欧元增加到6000亿欧元，而在这一领域，基于功率半导体的需求不断增加，除IGBT外，现在客户也在考虑SiC。同时，英飞凌还看到了火车牵引市场对SiC的需求，并正在向客户提供第一个3.3kV模块的样品。
产能方面，英飞凌正在通过大幅扩建其Kulim工厂（在2022年2月宣布的原始投资之上）获得更多产能，有消息称，英飞凌将建造世界上最大的8英寸SiC功率芯片厂。值得一提的是，该扩建计划得到了英飞凌客户的大力支持，包括汽车和工业应用领域约50亿欧元订单合同以及约10亿欧元的预付款，其中汽车领域客户包括福特、上汽和奇瑞，可再生能源领域客户包括SolarEdge和中国三大光伏和储能系统公司，这表明客户对英飞凌稳健发展的信心。此外，英飞凌和施耐德电气还就产能预留达成一致。
英飞凌预计，对于制造的投入将支持该公司在2030年前实现约30%的SiC市场份额目标。
SiC与IGBT相比具有非常多的优势，比如SiC开关损失要比IGBT低得多。只不过，成本问题在一定程度上制约了SiC的推广普及，但随着8英寸逐步量产，成本问题会得到较好的缓解。正在向8英寸快速转换的英飞凌，有望凭借降本增效占据更多市场份额。（集邦化合物半导体Zac整理）
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