11月16日，江苏集芯先进材料有限公司（以下简称集芯先进）一期年产15万片碳化硅（SiC）衬底片制造基地搬入首批生产设备。
资料显示，集芯先进成立于2019年，专注于第三代半导体SiC材料研发与制造，集芯先进前身系江苏集芯半导体硅材料研究院。
据集芯先进介绍，该公司产品种类齐全，包括不低于6N的高纯SiC合成粉料，6/8英寸SiC籽晶、晶锭及衬底片等。集芯先进通过自主研发和技术整合，形成自有专利近100件，其中发明专利34件，专利范围覆盖SiC粉料合成、涂层制备、装备设计、热场设计、长晶工艺和衬底加工等制造全流程，形成了SiC衬底材料生产的优势闭环。
近年来，在新能源汽车、光伏等行业助推下，SiC市场呈现出腾飞之势。全球主流SiC器件厂商或并购、或合作、或建厂，纷纷通过各种手段积极扩充产能，以期提前占据主动。各大企业增资扩产，在提升自身实力的同时，推动了整个SiC产业链共同繁荣。
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集芯先进SiC衬底片项目首批设备进场只是SiC赛道红火发展的一个缩影，还有更多大小项目正在建设当中。
例如，今年9月，重庆高新区发布2023年重大项目名单，其中就包括ST意法半导体与三安光电共建的SiC相关项目。据悉，该项目预计总投资约230亿元，由三安和意法半导体集团在重庆共同设立一家SiC外延、芯片代工合资公司，拟建设一条8英寸4万片/月的SiC外延、衬底制造生产线。此次合作有助于双方做大做强SiC业务，带动营收增长。
10月底，中电化合物宣布成功向客户交付首批次8英寸SiC外延片产品，这标志着中电化合物的外延产品迈上新台阶，可为行业提供更加先进的技术支持，从而推动碳化硅行业加速发展。据中电化合物介绍，相比6英寸，8英寸SiC外延片面积增加78%，能够较大幅度降低SiC器件成本，进而推动碳化硅材料降本增效。
11月初，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸SiC衬底片项目”正式签约启动。据悉，此次签约项目总投资达21.2亿元。此举不仅是晶盛机电实现增长的重要布局，也有望攻克SiC材料端关键核心技术，最终实现国产替代。（化合物半导体市场Zac整理）
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