近日，浙江省发改委发布通知，认定51家单位为浙江省工程研究中心。其中，矽力杰在浙大科创中心牵头下，联合绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、浙江富特科技股份有限公司和麦田能源股份有限公司共建的宽禁带功率器件与应用浙江省工程研究中心成功获批。
据矽力杰介绍，宽禁带功率器件与应用浙江省工程研究中心围绕宽禁带功率半导体的器件与电源管理技术，建设贯通“器件-封装测试-电源变换装备”的完善技术链及产业应用体系，重点建设突破一维电阻极限的碳化硅（SiC）单极型器件技术，聚焦宽禁带器件先进封装测试技术的高效率、高密度电源变换技术和产业化三大重点方向。
资料显示，物质导电需要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称作导带，空穴存在的能带称作价带。被束缚的电子要想成为自由电子或空穴，必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
图片来源：拍信网正版图库
宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，而当前主流的半导体材料硅的禁带宽度大约是1.12eV。宽禁带半导体以碳化硅、氮化镓（GaN）为代表，因其禁带宽度大、电子迁移率高等物理特性，广泛应用于移动通信、汽车电子、光伏储能以及光电领域。
随着终端电力电子产品的迭代升级，传统硅基元件已无法满足高功率、高压场景需求，碳化硅、氮化镓器件因其在高温、高压、高频应用领域的显著优势，市场需求持续上涨。
据TrendForce研究，2022年全球碳化硅功率市场规模约16.1亿美元，至2026年可达到53.3亿美元，CAGR达35%；2022年全球氮化镓功率市场规模约1.8亿美元，至2026年可达13.3亿美元，CAGR达65%。
值得一提的是，矽力杰自主研发了集成度更高的合封氮化镓芯片，将控制器与氮化镓器件集成，包含驱动、保护等功能，支持QR/DCM模式。在传统初级电路中两三颗芯片才能实现的功能，通过采用矽力杰合封方案，仅由一颗芯片就能完成，不仅能够简化设计，还可以提升整体方案性能，也能减少PCB板的用量，缩小尺寸并减少物料成本。（化合物半导体市场Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。