近日，誉鸿锦半导体二期产业园项目厂房举行了主体结构封顶仪式，这标志着该公司GaN Super IDM 全产业链的布局与建设取得重大进展。
誉鸿锦提出的Super IDM产业集群概念，即“Super IDM产业集群 = 上游设备材料+IDM+终端技术应用+零售服务生态链”。 基于该产业集群的深度耦合，实现上游设备自主可控、成本下降，IDM环节极致效率，应用终端快速导入和批量验证，实现推动GaN产业快速普及的产业目标。
据介绍，誉鸿锦半导体产业园项目由江西誉鸿锦芯片科技有限公司投资开发建设，以GaN芯片研发与制造为中心，集成半导体产业链上游设备材料、下游终端应用，全面打造Super IDM产业集群。
该项目位于江西省抚州市高新技术产业区，总建筑面积约26.2万㎡。项目于2022年7月正式开工建设，主体结构提前1个月完成里程碑工期，二次结构已提前施工，首条批量线预计于2024年底前建成，月产能为6-7万片。项目全部建成投产后，每月产能将达到25万片，届时将成为全球最大的GaN IDM工厂。
作为一家2021年成立的新企业，誉鸿锦用1.5年实现了从建厂(一期产业园)到中试线稳定产能1.5万片，并且良率高达85%，一期产业园同时具备了在行业里数量最多、工序最为齐全的设备产线。二期产业园项目的建成投产，将大规模启用誉鸿锦自研和国产扶持的半导体设备，如MOCVD、蚀刻机等关键设备。
目前誉鸿锦自研的MOCVD设备已经上线并进入最后的调试阶段，经过中试线成熟生产工艺调整，其后续建设、调试和量产的速度会极其迅速，将进一步大幅度降低成本、提高效率。同时誉鸿锦订购的十多台光刻机将于明后两年陆续到货进厂，也将全部应用于二期产业园的生产线。
此外，在上个月召开的GaN器件品牌发布会上，誉鸿锦正式发布了全功率段的GaN器件，包括100V、650V、900-1200V等产品，能应用于多种电力电子领域。“公司GaN器件已经做到1200V，并正在研发1700V、3100V等产品。”誉鸿锦董事长闫怀宝表示。
除了GaN HEMT器件外，誉鸿锦正式发布的行业首个GaN SBD器件，以及900V蓝宝石基GaN晶圆的实物展示引起了行业的重点关注。
根据TrendForce集邦咨询《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
GaN作为第三代半导体材料，具有高电子迁移率、高热导率、高击穿电场等优良特性。但其功率器件相比于硅基器件，渗透率偏低。随着国内的GaN产能不断提升，对提高GaN渗透率起着积极作用。
从市场竞争格局来看，目前功率元件市场由Power integrations、Navitas、英诺赛科、EPC、GaN Systems、Transphorm等占据。通过誉鸿锦的IDM产业链不断完善，有望改变这一局势，给行业带来新的机遇与活力。
化合物半导体市场Rick整理
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