Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备市场上主流的代工e-mode氮化镓缺乏的高压动态(开关)导通电阻可靠性。
source:Transphorm
据介绍，这三款表面贴装型器件(SMD)可支持平均运行功率范围为1至3千瓦的较高功率应用，这样的电力系统常用于高性能领域，如计算（人工智能、服务器、电信、数据中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他广泛的工业市场。值得关注的是，该新型功率器件是目前快速发展的人工智能(AI)系统最佳解决方案，AI系统依赖于GPU，而GPU的功耗是传统CPU的10到15倍。
该650V SuperGaN TOLL 封装器件性能稳健，且已获得JEDEC资格认证。由于常闭型d-mode平台是将GaN HEMT与低电压硅管配对，因此，SuperGaN FET 可以简单的选择使用常用市售栅极驱动，应用于各种软/硬开关的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓扑中，提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和总成本。
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目前，各种高性能领域的主流客户开始采用Transphorm的高功率氮化镓器件，为其高性能系统提供电力支持，应用领域包括数据中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等。在核心SuperGaN芯片通过汽车行业(AEC-Q101)标准认证后，新型TOLL封装器件也能够用于电动汽车的DC-DC转换器和车载充电器应用。
根据TrendForce集邦咨询《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
许多厂商早已将目光转向工业市场，其中数据中心为关键场景。ChatGPT已掀起AI云端服务器建置浪潮，GaN将助力数据中心降低运营成本，并提高服务器运行效率。
与此同时，汽车市场亦不容忽视，OEM与Tier1早已察觉GaN潜力所在，预计至2025年左右，GaN将小批量地渗透到低功率OBC和DC-DC中，再远到2030年，OEM或考虑将该技术移入到牵引逆变器。
对于市场竞争格局，以去年GaN功率元件业务营收来看，市场基本由Power integrations、Navitas、英诺赛科、EPC、GaN Systems、Transphorm所占据。近期，Infineon完成了对GaN Systems的收购，这对目前市场竞争格局有何影响，还得看后续企业动作。
化合物半导体市场Rick整理
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