罗姆半导体（Rohm）株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要供该公司内部使用，预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。
据悉，宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分，罗姆计划在2021-2025年为SiC业务投入1700亿-2200亿日元（折合人民币约82亿元-107亿元）。
对于包括罗姆在内的众多SiC功率半导体玩家而言，再怎么加大投资、提升SiC衬底产能都不过分。一方面，近年来，衬底材料短缺已成为SiC功率半导体产业发展瓶颈之一；另一方面，随着汽车电动化浪潮来袭，对于SiC功率半导体的需求将会日益增大。
为了推动SiC功率半导体产业发展，同时在巨大风口中占据一席之地，各大企业必然下血本增资扩产。目前看来，有多种方式可以达到目的，或是与供应商签署供货协议，或是完全自建生产线，亦或是收购相关企业。
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罗姆早年通过收购德国SiC衬底制造商SiCrystal，直接在其位于德国纽伦堡的工厂生产SiC衬底，在此基础上，很快便确立了自身在行业内的先行者地位。
将于2024年投产的宫崎第二工厂，原本是出光兴产子公司太阳能前线（Solar Frontier）的原国富工厂。今年7月，罗姆宣布与太阳能前线就收购该公司原国富工厂资产事宜达成基本协议，此次收购计划于今年10月完成。值得注意的是，该工厂将成为罗姆在日本最大规模的SiC功率半导体生产基地。
并购的同时，罗姆亦积极自建产能。罗姆官网资料显示，罗姆目前在日本拥有四个SiC功率半导体生产基地，分别位于京都总部、福冈县筑后工厂、长滨工厂以及宫崎第一工厂。
收购与自建都能够达成稳健的产品供应，但在SiC产业的前瞻性布局让巨头们热衷于提前占据更多产能，与成熟的厂商合作是必要的，罗姆也不甘落后。
今年6月，罗姆与纬湃科技（Vitesco）签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元（折合人民币约63亿元）。（文：集邦化合物半导体Zac整理）
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