上海新微半导体有限公司（下文简称“新微半导体”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的增强/耗尽型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工艺平台(简称“PTA25工艺平台”)开发完成。
该平台凭借高电子迁移率、高增益、高功率和超低噪声等一系列卓越性能，满足射频器件在复杂场景下的不同应用需求，如移动通信和无线网络等领域。
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据悉，新微半导体成立于2020年，专注于为光电、射频和功率三大化合物半导体应用领域提供芯片制造平台。产品服务于工业、消费电子、通信、生物医疗、汽车、新能源和微波等众多应用领域。
5月，新微半导体宣布，基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的无金工艺和集成电路互联，支持Through-GaN-Via(TGV)和Circuit-Under-Pad(CUP)，相比传统的硅基功率芯片，具有更低的导通电阻、更快的开关速度和更小的尺寸。
基于该工艺平台生产的功率器件凭借低导通电阻和高可靠性等众多优势，为低压功率转换场景提供更小物理尺寸、更轻重量和更节能的解决方案。凭借这些优秀的特征，该工艺平台可为终端应用市场提供具有卓越品质、更小面积和更低成本的功率产品，可广泛用于手机、平板电脑和笔记本电脑等终端领域。
8月，新微半导体在PCIM Asia 2023展会上，对外展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高压GaN功率器件工艺平台系列展品，并重点展示了面向不同终端应用领域的外延制造和晶圆代工产品以及先进的技术解决方案。（文：化合物半导体Morty整理）
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