据外媒报道，韩国晶圆代工大厂东部高科（DB HiTek）宣布正在加大力度研发SiC、GaN功率半导体器件，并已为此引进了生产所需的核心设备。
据了解，东部高科专业从事8英寸晶圆代工，于2021年底宣布将在2022年一季度开发基于下一代半导体材料的功率半导体，同步发展SiC和GaN技术。
在GaN领域，东部高科在2022年初公布了在硅晶圆上生长8英寸GaN半导体元件的计划。据其介绍，采用硅基GaN技术可提升半导体制造的竞争力，从而简化晶圆工艺，提高晶圆代工厂的盈利能力。为此，东部高科积极推进这个计划，并于2022年9月与韩国半导体公司A-pro Semicon达成合作，双方正在协同开发8英寸GaN功率半导体技术。
在SiC领域，东部高科主要专注于开发6-8英寸SiC功率半导体，正在积极建设相关产线，并已参与韩国国家政策项目，与釜山技术园合作开发SiC。针对汽车应用市场，尽管目前6英寸晶圆是主流，但东部高科的目标主要还是在于8英寸晶圆。
据悉，由于市场复苏缓慢，东部高科的8英寸晶圆厂运营预计将受到影响，而转向12英寸晶圆厂运营的问题仍然存在。在此背景下，东部高科未来的发展将集中在GaN和SiC等下一代功率半导体上。
不难发现，韩国另一大晶圆代工厂三星今年也持续加大了对第三代半导体市场的布局，可以看到，第三代半导体这一赛道有利于韩国厂商拓宽利润增长点，在韩国政府对第三代半导体的大力支持和推动下，包括三星、东部高科在内的韩国厂商有望加速取得技术突破和拓展业务，进一步缩短与欧美厂商之间的差距。（化合物半导体市场Jenny整理）
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