10月16日，根据韩媒 ETNEWS的报道，据业内人士透露，三星电子近期聘请安森美半导体前董事洪锡俊(Stephen Hong)担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其内部组织了SiC功率半导体业务V-TF部门。
Hong是功率半导体专家，在加入三星电子之前，曾在英飞凌、仙童、安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作约25年。
目前，Hong正在寻找SiC商业化的团队成员，同时通过与韩国功率半导体产业生态圈和学术界互动，进行市场和商业可行性研究。
据悉，早先三星宣布正式进军GaN业务的时候也曾提前成立过相关的业务小组。
Hong或将主导SiC功率半导体业务方向和切入点的规划。
除了SiC商业化之外，三星电子还开始全面筹备GaN功率半导体业务。三星已决定购买Aixtron最新的MOCVD设备，用于加工GaN和SiC晶圆，投资规模预计至少达到7000亿-8000亿韩元（约为5.4亿-6.2亿美元）。
目前，三星的第三代半导体的代工业务预计2025年才能开始进行，目前仍是正处于研究和样品生产阶段，只需要少量设备。然而，他们必须根据未来的量产计划进行大量的设备投资。
根据TrendForce集邦咨询分析2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%，并预估至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。
此前，三星规划用8 英寸晶圆制造GaN 和SiC 半导体，直接跳过多数功率半导体商用6 英寸晶圆切入阶段。这在6英寸还是主流的当下，吸引了大家的关注。
而三星加码对GaN和SiC的布局，或许还和其晶圆代工业务受到了冲击有关。
半导体厂稼动率变化，向来是影响公司盈亏的重要指标。
TrendForce集邦咨询最新研究估计，三星8英寸晶圆厂2024 年稼动率恐掉到50%，主要因全球半导体需求萎缩，一时半刻难见起色，加上地缘政治影响，拖累三星接单下滑。
SiC和GaN的功率半导体市场需求日益增大，加上三星Si晶圆的业务受到了冲击，且DB Hitek和Key Foundry等厂商也在加速布局，三者都预计在2025年至2026年将8英寸GaN代工服务商业化。
受这三方面的影响，三星不得不加快其有关GaN和SiC上的布局，以期争取更多市场，扭转企业的传统晶圆代工的颓势。（化合物半导体市场Morty整理）
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