据国家知识产权局公告，湖南三安半导体有限公司（下文简称湖南三安半导体）获得名为“半导体器件”专利授权，授权公告日为9月15日，授权公告号为CN219696448U。
source:国家知识产权局
根据摘要可知，该申请公开了一种半导体器件，属于半导体技术领域。
半导体器件包括芯片；基板，基板包括安装部和第一端子，第一端子连接在安装部的第一端部；塑封体，安装部包括裸露在塑封体的顶面的第一面和被塑封体包裹的第二面，芯片安装在安装部的第二面，第一端子从塑封体的第一侧伸出并向塑封体的底面弯折；第二端子和第三端子，第二端子和第三端子与芯片电连接且从与塑封体的第一侧相对的第二侧的中部伸出；安装部还包括与第一端部相对设置的第二端部，在安装部的第二端部与第二端子和第三端子之间的塑封体上设置有凹槽，可增大基板与第二端子和第三端子之间的爬电距离，从而提高了半导体器件的安全性。
据悉，本月初湖南三安半导体就在SEMICON TaiWan 2023展会上，除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。
从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，较2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化镓）产能2,000片/月。其6英寸碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证，并实现批量出货，且2023年、2024年供应已基本锁定。
此次获取专利授权也是从侧面表示，三安光电在积极扩大产能的同时，亦重视技术创新，其大有产能和技术两手都抓的态势。（文：集邦化合物半导体Morty整理）
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