9月6日，由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司指导、国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在江宁开发区举行。
会上，多个超百亿元产业项目签约，国家第三代半导体技术创新中心（南京）集中发布重大科技攻关成果，同时宣布一期项目竣工投产。
此次集中签约的项目，形成了从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，包括三晶第三代半导体精密装备及材料产业化项目等。
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会上，国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台成果发布，涉及SiC MOSFET、功率模块等关键技术。据悉，该中心将攻坚“新能源汽车用高电流密度高可靠碳化硅MOSFET产品”和“面向智能电网和高铁应用的高压大功率碳化硅电力电子器件”两大产品方向，从碳化硅电力电子的基础理论、材料生长、器件制备、系统应用等四个方面，联合生态伙伴共同攻关。
当前，国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目已经竣工投产，随着一期项目投运，二期项目的建设也排上日程，媒体报道二期项目将于2024年开建，规划年产20万片8英寸圆片。
（文：全球半导体观察）
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