8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。
长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资约100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。
当前，东湖高新区重点布局化合物半导体产业，将九峰山科技园作为武汉新城重点建设的科技项目。
图片来源：拍信网正版图库
安徽长飞先进半导体有限公司成立于2018年1月，专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。
可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。目前，长飞先进可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。
今年6月，长飞先进完成超38亿元A轮股权融资。
新增投资方包括光谷金控、浙江国改基金、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金（中金上汽、中金瑞为、中金知行、中金启合）、海通并购基金、国元金控集团旗下基金（国元股权、国元基金、国元创新）、鲁信创投、东风资产、建信信托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝樾启承、云岫资本等，老股东长飞光纤、天兴资本等持续追加投资。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。