近日，海内外诸多SiC、GaN厂商发布新品新技术。据化合物半导体市场不完全统计，安森美、英飞凌、安世半导体、英诺赛科、纳微半导体、Transphorm、EPC、CGD等都发布了GaN或SiC最新开发成果，性能升级，应用范围也进一步拓宽。其中，英诺赛科便发布了联合研究成果，为进军高压高功率应用市场做准备。
5月9日，英诺赛科发布新闻稿宣布，其与瑞士伯尔尼应用技术大学（Bern University of Applied Sciences，BFH）合作开发了650V GaN多电平拓扑参考设计样品，面向电动交通电机驱动、太阳能逆变器、工业逆变器、电动车快速充电桩、以及潜在的电动车动力传动系统等850 VDC应用。
据介绍，双方合作开发的转换器采用三电平有源嵌位（ANPC，active neutral point clamped）结构，集成英诺赛科基于DFN封装的650V 80mΩ GaN HEMT器件INN650D080BS，具备高效率、高可靠性、高性价比等优点，可帮助降低系统成本，无需使用缓冲电容 (Snubber capacitor）或成本高昂的SiC器件。
资料显示，目前在光伏系统中常用三电平逆变器，而三电平anpc逆变器相比三电平npc逆变器而言，调制更加灵活、损耗更加均衡、可以做到所有开关管有源嵌位等优势。
伯尼尔应用技术大学教授Timothé Delaforge指出，在更高压的应用中，半桥拓扑等传统的二电平拓扑结构已经不适用，因为650V HEMT器件会出现失效。然而，还有许多其他的拓扑结构可以满足高压应用要求，当HEMT器件在更高的直流母线电压下工作时，工作电压可远低于额定电压。例如，采用ANPC拓扑结构，可在不使用SiC技术的情况转换到850 VDC，因此，伯尼尔应用技术大学与英诺赛科选择了此结构。
他还提到，对于多数工业、电动交通应用，甚至潜在的电动车动力传动系统应用来说，850V电压已经足够了，但前提是在电路设计上足够谨慎，以最大程度降低寄生效应。
英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon博士表示，尽管这款参考设计用了6颗GaN HEMTs器件，但由于在更高的频率上切换，滤波器尺寸得以缩小，转换器的整体尺寸也因此变小。此外，采用InnoGaN HEMTs器件，可实现99%的逆变器效率，提升系统可靠性的同时，降低成本。（化合物半导体市场Jenny编译）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。