受益于新能源革命，电动汽车、光伏储能以及工业自动化等下游应用的多点爆发，以碳化硅、氮化镓为首的化合物半导体进入了高速增长的阶段，成为了行业“热词”，逐渐从小众走向主流。
近年来，台湾地区也在不断加速化合物半导体产业的发展。
01、2022年总产值791亿元，年减4.5%
日前，据台媒报道，光电科技工业协进会（PIDA）产研中心指出，由于全球经济成长趋缓等因素，使得全球消费市场萎缩，台湾地区化合物半导体产业成长也遭受逆风。台湾化合物半导体产业（不含LED部分）在2022年度总产值达新台币791亿新台币，较2021年度总产值828亿新台币，年成长率小幅衰退4.5%。
台湾化合物半导体季产值趋势（图：PIDA）
以产业链来看，台湾地区化合物半导体2022年度在上游设计、中游制造与下游封测的产值分别为新台币141亿、501亿及149亿，年增率分别为-5.7%、-7.5%及8.3%，其中将制造部份再细分，可以发现功率元件与基板因电动车及节能减碳等需求带动仍成长，但通讯元件则是因为手机市场需求衰退等因素，而呈现减少趋势。
02、虽遇逆风，各大厂信心不减
据介绍，虽然台湾地区化合物半导体在2022年时产值遇到逆风而呈现下滑状态，但由于电动车、充电桩、服务器以及5G基地台等需求的成长，和政府单位对产业的持续推动，台湾地区化合物半导体厂商均看好这个未来仍会持续蓬勃发展。
目前，主要厂商如台积电、环球晶、盛新材料、嘉晶、汉磊以及稳懋等均从2021年开始陆续进行扩厂规划以增加产能，新的产能预计在2023至2024年间会陆续开出，届时产业将会有爆发性的成长。
台积电
早在2014年，台积电就看中了第三代半导体的市场机会，开始在其6英寸晶圆厂制造GaN组件。
2020年，台积电为ST提供分立产品供应GaN IC，已促成累计超过1 300万颗氮化镓芯片出货；纳微半导体专有的 GaN 工艺设计套件 (PDK) 是基于台积电的 GaN-on-Si 平台开发的，月出货量超 100 万个 GaNFast 电源 IC，总出货量超 1300 万个，场失效为零。
2021年，台积电通过了第一代650V增强型GaN高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的改进版本，进入全产能量产，市场已推出超过130款充电器，为此台积电不断扩大产能以满足客户需求。
其第二代650V和100V功率E-HEMT经过研发后，FOM（品质因数）提升50%，将于2022年投产；100V耗尽型GaN高电子迁移率晶体管（D-HEMT）完成器件开发，预计也于2022年投产 。除此之外，台积电甚至已经开始第三代650V电源E-HEMT的研发，并预计2025年交付。
台亚
1月13日，投资中国台湾事务所召开“欢迎台商回台投资行动方案”联审会议，台亚半导体斥资近90亿台币扩大投资台湾的方案获通过。
根据投资方案，台亚半导体将在竹科厂房兴建无尘室，并增设智慧化产线、导入生产监控数位系统。此举是为了深耕氮化镓化合物半导体的研发与制造，并开拓全球市场。
台亚2021年开始筹建积亚半导体，专注开发碳化硅（SiC）衬底的高功率元件。未来更进一步规划下半年扩大台亚现有厂房洁净室区域，投入氮化镓（GaN）磊晶及元件的研发及生产，预计于2023年前提供样品供合作客户进行验证。
联电
2021年联电通过投资联颖，切入第三代半导体领域。计划从6英寸GaN入手，之后将展开布局SiC，并向8英寸晶圆发展。
联电表示，公司早已开始布局第三代半导体，并且与比利时微电子研究中心（IMEC）进行技术研发合作，正积极将相关技术朝平台化发展，为IC设计业者提供标准化的技术平台。针对这项技术平台的建立，联电将会以提供功率、射频元件方案为主，初期会以GaN技术先行。（文：集邦化合物半导体 Doris整理）
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