今日，科友半导体宣布其自主设计制造的电阻长晶炉产出了直径超过8英寸的碳化硅单晶，晶体表面光滑无缺陷，最大直径超过204m。
这是科友半导体于今年十月在六吋碳化硅晶体厚度上实现40mm突破后，在碳化硅晶体生长尺寸上取得的又一次极具历史意义的重大突破。为实现下一步的8英寸碳化硅晶体产业化量产打下坚实的基础。
8月18日，由科友半导体与哈尔滨新区共同投资建设的科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投用。该项目总投资10亿元，目前已安装100台长晶炉，预计年底全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。
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按照发展规划，未来两年科友半导体将实现年产20~30万片碳化硅衬底的产能，成为全球碳化硅衬底重要供应商之一。
碳化硅衬底是制造碳化硅器件最基础的材料，也是发展SiC的关键，没有碳化硅衬底就无法制造出碳化硅器件。目前，以衬底和外延为主的碳化硅材料占据了整个碳化硅产业链近70%的价值量，其中衬底价值量占比接近50%。
目前，国内SiC 衬底主流规格分别为 4 英寸和 6 英寸，部分厂商如晶盛机电、烁科晶体、中科院物理所等已成功研发了8英寸SiC单晶。
此前，意法半导体表示，从6英寸晶圆过渡到8英寸晶圆将大幅提高产能，制造集成电路的有用面积提升几乎两倍，每个晶圆可以提升1.8-1.9倍的工作芯片。
有业内人士称，碳化硅衬底的成本和产量将长期成为第三代半导体行业的关键竞争核心。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）
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