根据集邦咨询LED研究中心（LEDinside）最新研究报告《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》，由于Micro LED的特性优良，不论是在高亮度、高对比度、高反应性及省电方面，都优于LCD及OLED，未来将可应用于穿戴式的手表、手机、车用显示器、AR、VR、Monitor 、TV及大型显示器应用。LEDinside分析，Micro LED技术虽面临众多的挑战，对比两年前，目前的技术进展已经进步许多，早期的专利技术已经有实体样品展示机的出现，未来Micro LED商品化的时程将随着Micro LED技术的成熟而进展，另外Micro LED制造流程繁琐及要求更加精细，制程中所使用的原材料、制程耗材、生产设备、检测仪器及辅助治具等，需求规格严谨且精密度相对严格。
Micro LED技术瓶颈分析
目前Micro LED 所面临的技术瓶颈，共区分几个面向，包括磊晶、晶片、巨量转移、全彩化、接合、电源驱动、背板、检测与维修技术，此份研究报告将针对Micro LED技术瓶颈做深入之探讨及分析。
磊晶技术：目前Micro LED磊晶技术的挑战，其一是希望提升波长一致性与厚度均匀性，使得波长更集中，大幅降低磊晶厂的后段检测成本，其二，当LED Chip微缩至100微米以下时，LED Chip周围因切割损伤造成不均匀的问题会造成漏电问题，并影响整体发光特性。
晶片技术：为了符合巨量转移的制程，晶片需经过弱化结构的改变，以利自暂存基板上拾取晶片，并且增加绝缘层避免在转移过程中晶片的受损，以保护及绝缘晶片。
巨量转移技术：拾取放置技术可应用在大于10µm以上之产品，但UPH、转移设备的精准度及稳定度是一大隐忧，流体组装技术可应用在大于20µm以上之产品，虽然可以提升UPH但需要分别转移三次才能完成全彩化目标，激光转移技术可应用在大于1µm以上之产品，但激光设备的价格昂贵，将会造成初期投资的负担。
全彩化技术： RGB晶片的色转换方案，目前在小于20μm的技术上将面临光效率、良率不足等问题，量子点的色转换方案，进而补足在小尺寸色转换不足的技术，但量子点也有部分涂佈均匀性与信赖性等问题产生，须待技术克服。
接合技术：由于Micro LED的晶片过于微小，锡膏金属成份粒径较大，容易造成Micro LED正负极性导通，形成微短路现象，因此黏著技术将会是Micro LED制程关键的挑战，现状Micro LED的Bonding技术有Metal Bump、Glue、Wafer Bonding及Micro Tube四大方向。
电源驱动技术：主动式驱动阵列中，每个像素连接到电路并单独驱动，这样将允许Micro LED以较低的电流工作，同时在整个点亮时间内持续维持亮度，不会有明显的显示亮度损失，但Micro LED驱动电流极小，使得电路设计複杂，驱动电源模组空间佈局将更为密集。
背板技术：背板形式共分为四种型态，玻璃、软性基板、硅基板、PCB等。现阶段以PCB背板应用最广泛，主要是因为其尺寸相容性高，可利用拼接符合各种所需的尺寸，以及可依需求选择符合的基材做相对应的背板。
检测技术： Micro LED应用产品所使用的晶片数量甚多，并且Micro LED模组的光性及电性须正确且快速的判定之下，必须以巨量检测的方式才能减少检测时间及成本，要如何快速且准确的测试出良品是制程的一大问题，也是现阶段Micro LED检测技术瓶颈的主要原因之一 。
维修技术： Micro LED维修方案，现阶段有紫外线照射维修技术、激光融断维修技术 、选择性拾取维修技术、选择性激光维修技术及备援电路设计方案等。
2019年1月LEDinside针对于2019 Micro LED次世代显示关键技术进行分析。如需详细资料，欢迎来电或来信。谢谢您！
LEDinside 2019 Micro LED次世代显示关键技术报告
出刊时间：2019年01月31日
档案格式：PDF
报告语系：繁体中文 /英文
页数： 213
季度更新：Micro / Mini LED市场观点分析 – 厂商动态、新技术导入、Display Week / Touch Taiwan展场直击（2019年3月、6月、9月；约计10-15页/季）
第一章 Micro LED定义与市场规模分析
Micro LED产品定义
Micro LED产值分析与预测
Micro LED产量分析与预测
Micro LED市场产量分析
Micro LED Display渗透率预测
第二章 Micro LED应用产品与技术发展趋势
Micro LED应用产品总览
Micro LED产品应用规格总览
Micro LED应用产品 – 头戴式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 头戴式装置成本分析
Micro LED应用产品 – 头戴式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 穿戴式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 穿戴式装置成本分析
Micro LED应用产品 – 穿戴式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 手持式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 手持式装置成本分析
Micro LED应用产品 – 手持式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – IT装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – IT 显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 – IT装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 车用显示器规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 车用显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 – 车用显示器出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 电视显示器规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 电视显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 – 电视出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – LED显示屏规格发展趋势
Micro LED应用产品 – LED显示屏装置成本分析
Micro LED应用产品 – LED显示屏出货量与时程表预估
第三章 Micro LED专利布局分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 历年专利家族分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 区域分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 技术分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 厂商分析
2001-2018 Micro LED专利布局 – 历年巨量转移技术专利家族分析
巨量转移技术 – 专利技术总览
巨量转移技术 – 专利技术分类
2001-2018 Micro LED专利布局 – 巨量转移技术专利家族分析
巨量转移技术 – 品牌厂商技术布局分析
巨量转移技术 – 新创公司与研究机构技术布局分析
第四章 Micro LED技术瓶颈与解决方案
Micro LED产业技术总览分析
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 制造流程
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – LED磊晶与芯片制程
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 转移技术/黏接技术/驱动与背板技术
第五章 磊晶技术瓶颈与挑战分析
磊晶技术 – 解决方案
磊晶技术 – 磊晶架构与发光原理
磊晶技术 – 磊晶发光层材料与光效
磊晶技术 – 芯片微缩化的漏电问题造成光效降低
磊晶技术 – 设备技术分类
磊晶技术 – 设备技术比较
磊晶技术 – 外延片关键技术分类
磊晶技术 – 外延片关键技术分类 – 波长均一性
磊晶技术 – 外延片关键技术分类 – 磊晶缺陷控制
磊晶技术 – 外延片关键技术分类 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技术 – 适用性分析
第六章 芯片制程技术瓶颈与挑战分析
芯片制程技术 – LED芯片微缩的发展
芯片制程技术 – LED芯片生产流程
芯片制程技术 – 水平，覆晶与垂直芯片结构性之差异
芯片制程技术 – 微型化LED芯片（含蓝宝石基板）切割技术
芯片制程技术 – 微型化LED芯片（不含蓝宝石基板）切割技术
芯片制程技术 – 激光剥离基板技术
芯片制程技术 – 弱化结构与绝缘层
芯片制程技术 – 弱化结构设计
芯片制程技术 – 巨量转移头设计
芯片制程技术 – 传统LED与Micro LED芯片制程差异
第七章 巨量转移技术瓶颈与挑战分析
巨量转移技术 – 转移技术分类
巨量转移技术 – 薄膜转移技术分类
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 拾取放置技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 非选择性拾取技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 选择性拾取技术以提升晶圆利用率
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 修补应用上的选择性拾取技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 影响产能的因素
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 大型转移头尺寸提升产能的方案
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 转移头精准度要求更高
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 转移次数和晶圆利用率比较
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 转移运转周期与产能比较
巨量转移技术 – 薄膜转移技术：Apple (LuxVue)
静电吸附+相变化转移方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术：Samsung
芯片转移与翻转方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 凡得瓦力转印技术介绍
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：X-Celeprint
凡得瓦力转印方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：ITRI
电磁力转移方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍： Mikro Mesa
利用黏合力与反作用力转移技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：AUO
静电吸附力与反作用力方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：VueReal
Solid Printing技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：Rohinni
顶针对位转移技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 流体组装技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：eLux
流体装配方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：PlayNitride
流体分散转印技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 激光转移技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 激光转移技术分类
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：Sony
激光转移技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：QMAT
BAR转移方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：Uniqarta
多光束转移技术
巨量转移技术-薄膜转移技术介绍：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 滚轴转写技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：KIMM
滚轴转写技术
巨量转移技术 – Micro LED巨量转移技术上面临七大挑战
巨量转移技术 – 转移制程良率取决于制程能力的控制
巨量转移技术 – 适用性分析
第八章 检测技术瓶颈与挑战分析
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 检测技术流程
检测技术 – 检测方式
检测技术 – 电特性检测
检测技术 – 电致发光(EL)原理
检测技术 – 光特性检测
检测技术 – 光致发光(PL)原理
检测技术 – 巨量检测技术总览
巨量检测方式 – 光致发光检测技术
巨量检测方式 – 数码相机光电检测技术
巨量检测方式 – 接触式光电检测技术
巨量检测方式 – 非接触式光电检测技术
巨量检测方式 – 非接触式EL检测技术
巨量检测方式 – 紫外线照射光电检测技术
巨量检测技术差异性比较
第九章 维修技术瓶颈与挑战分析
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 维修技术
Micro LED维修技术方案
维修技术方案 – 紫外线照射维修技术
Micro LED的坏点维修流程
维修技术方案 – 紫外线照射维修技术
坏点维修技术分析
维修技术方案 – 紫外线照射维修技术
转移头拾取之过程
维修技术方案 – 激光熔接维修技术
维修技术方案 – 选择性拾取维修技术
维修技术方案 – 选择性激光维修技术
维修技术方案 – 备援电路设计方案
Micro LED的主动缺陷侦测设计
第十章 全彩化技术瓶颈与挑战分析
全彩化技术解决方案种类
全彩化技术解决方案 – RGB芯片色彩化技术
全彩化技术解决方案 – RGB在相同晶圆上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技术解决方案 – 量子点的色转换技术
全彩化技术解决方案 – 量子点色转换技术与应用
全彩化技术解决方案 – 量子井的色转换技术
全彩化技术解决方案 – 总览
全彩化技术解决方案 – 适用性分析
第十一章 接合技术瓶颈与挑战分析
接合技术 – 技术分类
接合技术 – 表面黏著技术方案
接合技术 – 共晶波焊组装技术方案
接合技术 – 异方性导电胶(ACF)方案
接合技术 – 异方性导电胶水(SAP)方案
接合技术 – 晶圆结合技术(Wafer Bonding)方案
接合技术 – 晶圆接合 (Wafer Bonding) 困难度分析
接合技术 – Micro TUBE方案
接合技术 – 技术困难度分析
接合技术 – 适用性分析
第十二章 驱动技术瓶颈与挑战分析
驱动技术 – 驱动方案分类
驱动技术 – 驱动IC的重要性
驱动技术 – LED的伏安特性与光通量关系
驱动技术 – 开关电源控制技术分类
驱动技术 – 开关电源控制PWM与Duty Cycle的关系
驱动技术 – 显示屏驱动方案 – 主动式驱动与被动式驱动比较
驱动技术 – 显示屏驱动方案 – 扫描方式与画面更新率
驱动技术 – 显示屏驱动方案 – 小间距显示屏问题点分析
驱动技术 – TFT薄膜电晶体 – 液晶显示器之驱动架构
驱动技术 – TFT薄膜电晶体 – 主动式驱动 V.S 被动式驱动
驱动技术 – TFT薄膜电晶体 – 影响显示品质之干扰因素分析
驱动技术 – OLED驱动方案 – OLED的光电特性
驱动技术 – OLED驱动方案 – 被动式驱动
驱动技术 – OLED驱动方案 – 主动式驱动
驱动技术 – Micro LED驱动方案 – 被动式驱动
驱动技术 – Micro LED驱动方案 – 主动式驱动
OLED显示器 vs Micro LED显示器电源驱动模组差异性
第十三章 驱动技术瓶颈与挑战分析
背板技术 – 显示器背板的架构
背板技术 – 背板材料的分类
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板与画素开关元件运作原理
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板与画素开关元件特性
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸发展
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板胀缩挑战
背板技术 – 整合式背板-玻璃基板搭配开关元件应用现况
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件架构
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si画素开关元件制程
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO画素开关元件制程
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS画素开关元件制程
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件解析度差异
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件功耗差异
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件漏电性差异
背板技术 – 整合式背板 – 可挠式基板基板与画素开关元件特性
背板技术 – 整合式背板 – 可挠式基板制作流程
背板技术 – 整合式背板 – 可挠式基板材料特性
背板技术 – 整合式背板 – Silicon背板架构
背板技术 – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技术 – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板外观架构
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板结构
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板基材热效应
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板基材差异性比较
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板制作挑战
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板尺寸限制
背板技术差异性比较
背板技术 – 适用性分析
第十四章 Micro LED供应链与厂商布局分析
全球Micro LED主要厂商供应链分析
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 中国台湾厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 中国大陆厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 韩国厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 日本厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 欧美厂商
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