据外媒报道，6月19日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Key Foundry（启方半导体）宣布，公司已确认650伏氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的特性，正加大开发力度，预计年内完成开发。 因GaN具有高速开关和低电阻特性，它被称为下一代功率半导体，比现有的硅（S...  [详内文]