据悉，在半导体工艺制程中，芯片内阻越小，芯片面积越大，单芯片上缺点数越高，芯片的良率也会越差。对于10mΩ级别内阻的GaN芯片，制造难度较大。而云镓半导体近日在10mΩ内阻GaN芯片研发方面取得了突破。 图片来源：拍信网正版图库 近日，据云镓半导体官微披露，其自主研发了650V...  [详内文]