11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构，自主设计的新型终端结构具有更高的工艺可靠性，在同等耐压水平下，体积更小，可应用于新能源汽车主驱逆变器等车载电源系统。 作为一家由中国一汽、东风公司、南方工业...  [详内文]