今年4月，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称优晶科技）最新出口至某国际知名客户的大尺寸电阻法长晶设备已顺利通过验收，标志着优晶科技国际业务取得突破。据悉，此次出口的SiC电阻法长晶设备，是优晶科技根据市场需求研发的第四代产品，设备的稳定性、可靠性、工艺水准均有提升。
而在近日，优晶科技SiC长晶设备再次传出新进展。6月7日，据优晶科技官微披露，其8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
source：优晶科技
鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。
官网资料显示，优晶科技成立于2010年12月，专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型——UKING ERH SiC RV4.0电阻法SiC长晶设备，可用于6英寸、8英寸量产。
项目方面，优晶科技于2020年12月在昆山建设落成国内首条UKING电阻法6英寸SiC生产线，并计划2021年年底前将6英寸电阻法SiC生产线扩容至100台。届时优晶科技投资打造的国内首条UKING电阻法6英寸SiC生产线将在江苏昆山平谦迈高科技园实现规模量产。达产预计年产6英寸SiC衬底10万片。
据介绍，UKING电阻法大尺寸SiC长晶设备轴向温梯可控、径向温梯可调、温线平缓，晶体生长界面近似平面，这能有效降低SiC单晶内部应力，增加晶体有效利用厚度。同时，UKING电阻法碳化硅生产设备智能化程度高，可大幅提高工艺精度；并具有无需人工粘接籽晶的引晶工艺，生长参数实时监测和存储，远程访问和控制，实现了长晶过程的高度自动化，保证工艺的重现性，减少对操作人员的依赖，解决了工艺控制难的瓶颈，使生长出的晶体良品率和质量大幅提高。
融资方面，2023年6月，优晶科技完成A轮融资，投资方为东合创投。
此次优晶科技成功研发出UK-T8型8英寸电阻法SiC单晶生长设备，有望推动优晶科技加速拓展国际、国内业务。（集邦化合物半导体Zac整理）
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