4月17日，宾夕法尼亚州立大学宣布，学校已和摩根先进材料公司（下文简称“摩根公司”）签署了一份谅解备忘录（MOU），以促进碳化硅（SiC）的研发。
source：宾夕法尼亚大学
该协议包括一项为期五年、耗资数百万美元的新计划。摩根公司承诺成为宾夕法尼亚州立大学最近发起的碳化硅创新联盟的创始成员，并向宾夕法尼亚州立大学提供碳化硅开发所需的石墨材料和解决方案，供内部和外部合作伙伴使用。
据了解，该碳化硅创新联盟（SCIA）是一个由行业领导者、学术机构和政府支持组成的联盟，致力于开发碳化硅晶体技术和培养相关劳动人才。美国国防大学研究仪器计划(DURIP)奖项为SCIA的建成提供了关键支持。此外，SCIA中的碳化硅晶体中心（SiC3）还将获得了来自安森美每年80万美元，累计800万美元（折合人民币约5800万元）的资助。
宾夕法尼亚大学指出，碳化硅晶体在极端温度（高于1982摄氏度）下在物理蒸汽输送（PVT）炉中生长，晶体在炉中生长过程中要利用大量碳来保持温度。与家庭中的隔热材料类似，摩根制造的碳材料充当隔热层，可减少热量损失并能在长达一周的过程中维持熔炉运行所需的电量。
摩根公司首席技术官Thomas Connolly表示：“与宾夕法尼亚州立大学达成的新协议无缝衔接了我们的目标，即将公司打造成碳化硅市场的关键参与者——我们不仅在提高自己产品的竞争能力，而且还在为市场上高价值产品的开发做出贡献。”
宾夕法尼亚州立大学内的新碳化硅生长设施由宾夕法尼亚州立大学高级研究副校长办公室和美国空军科学研究办公室资助，预计将于2025年初全面投入使用。该大楼将容纳一个模拟整个碳化硅晶体批量生长供应链的试验规模设施。（集邦化合物半导体Morty编译）
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