近日，江苏天科合达和爱仕特分别就招标和中标方面传来了消息。
天科合达SiC晶片二期扩产项目招标
3月4日，据江苏省公告资源交易平台披露，江苏天科合达半导体有限公司碳化硅（SiC）晶片二期扩产项目自控智能化工程正向外公开招标。
公告显示，江苏天科合达将花费约4256万元完成公司SiC晶片二期扩产项目自控智能化工程，主要对弱电系统、FMCS系统进行改造调试。
据了解，该项目总投资8.3亿元，项目建筑面积约4.9万平方米，新建厂房及配套设施，购置安装单晶生长炉及配套的多线切割机，外圆及平面磨床，双磨研磨机等设备共计499台（套）以及配套动力辅助设备设施，8月份正式投产，年产SiC衬底16万片。
爱仕特中标中国电气装备集团SiC模块开发项目
3月1日，爱仕特宣布，公司于日前成功中标中国电气装备集团旗下“SiC模块封装设计与工艺开发技术服务项目”。
爱仕特指出，此次中标，公司将提供SiC功率模块封装设计与工艺开发技术服务，在项目工期内交付基于爱仕特1200V/1700V SiC芯片的 62mm封装定制开发功率模块。双方将以此次合作为起点，深化和扩大在电气、储能等领域的合作，爱仕特将根据需求持续批量交付高质量SiC功率器件，共拓新能源市场。
据介绍， 该款62mm 封装SiC功率模块采用成熟的半桥拓扑设计，具有高功率密度，允许使用相同的结构尺寸来增加逆变器输出功率。该模块具有出色的温度循环能力和175°C的连续工作温度（Tvjop）,可靠性高。其内部的对称环流设计，使得产品具有更低寄生参数及开关特性。
文：集邦化合物半导体Rick整理
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