近日，在江苏省扬州市邗江区维扬经济开发区先进制造业项目新春集中签约仪式上，扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称扬杰科技）新能源车用IGBT、碳化硅（SiC）模块封装项目完成签约。该项目总投资5亿元，主要从事车规级IGBT模块、SiC MOSFET模块的研发制造。
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作为国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的厂商，扬杰科技近年来持续深耕功率半导体领域，推动公司总营收从2014年的5.3亿元增长到2022年的54亿元，净利润从1亿元增长到10多亿元。
据扬杰科技党委书记、副董事长梁瑶介绍，公司每年投入的研发费用占总营收的比例超过5%，在IGBT等新产品领域的研发费用占比超过了15%甚至20%。据称，扬杰科技目前在全球功率分立器件企业中排名第12位。其中，功率二极管市占率位居中国第一，全球第二；整流桥和光伏旁路二极管市占率均位居全球第一。
展望2024年，扬杰科技将有三大投入：一是IGBT项目上马；二是车用模块项目投入；三是越南工厂建设。其中，越南工厂建成投产后可以助力公司品牌进军欧美市场。
在第三代半导体领域，扬杰科技已有多年的技术、产品及产能储备。早在2015年，扬杰科技便募资1.5亿元投向SiC芯片、器件研发及产业化建设项目。
产品方面，2022年上半年，扬杰科技开发了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二极管产品，并获得国内Top 10光伏逆变器客户的认可，完成了批量出货。MOSFET产品方面，公司1200V 80mΩ SiC MOSFET系列产品也已获得客户认可，并实现量产。
产能方面，2023年4月，扬杰科技与江苏省扬州市邗江区签署了《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，拟投资新建6英寸晶圆生产线项目，总投资约10亿元。该项目分两期实施建设，项目全部建成投产后，将形成6英寸SiC晶圆产能5000片/月。
此外，2023年6月，扬杰科技宣布与东南大学签署合作协议，组建“东南大学—扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”。基于此研发中心，双方将在功率半导体领域（尤其是宽禁带功率器件领域）进行深层次合作，开发世界级水平、具有自主知识产权的、符合市场与应用需求的功率半导体芯片，包括发展战略研究、硅基功率器件设计、宽禁带功率器件设计等项目的开展，加速功率半导体芯片设计及应用等研究成果的产业化。
随着此次SiC模块封装项目签约落地，扬杰科技有望进一步深化第三代半导体产业链布局。（集邦化合物半导体Zac整理）
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