近日，重庆三安半导体碳化硅（SiC）衬底项目B1栋顺利封顶。此项目总体分为两个项目标段，总面积约5.8万㎡，项目于2023年11月15日正式进场施工。
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其中，重庆三安半导体SiC衬底项目（生活服务设施区）总建筑面积为2.08万㎡，包括B1、B2栋、B3栋和B4栋等建筑。安意法半导体8英寸SiC外延、芯片项目（生活服务设施区）总建筑面积为3.7万㎡，包括A1栋、A2栋、A3栋、A4栋和C1栋等建筑。
在B1栋顺利封顶后，该项目B2、B4、C1三栋也将在年前陆续封顶，项目整体将在2024年7月前实现全部交付，合同工期仅为8个月。
据悉，该项目业主方为重庆三安半导体有限责任公司和安意法半导体有限公司，这两家公司均为湖南三安为推进与意法半导体的SiC合资项目而在2023年设立的子公司。
2023年6月，意法半导体官宣将与三安光电成立一家合资制造厂，进行8英寸SiC器件大规模量产。该合资厂全部建设总额预计约32亿美元（约230亿人民币），占地462亩，总建筑面积26.5万平方米，采取一次建设分期投产方式，规划达产年生产能力为8英寸SiC车规级MOSFET功率芯片48万片。项目在取得各项手续批复后开始建设，预计2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产。
意法半导体官网资料显示，该合资厂将采用意法半导体SiC专利制造工艺技术，专注于为意法半导体生产SiC器件。三安光电也披露，该工厂制造的SiC外延、芯片将独家销售给意法半导体或其指定的任何实体。
为主导该合资项目实施，湖南三安半导体有限责任公司和意法半导体（中国）投资有限公司于2023年8月共同出资成立安意法半导体有限公司，注册资金6.12亿美元，双方持股比例分别为51%、49%。
为满足该合资厂的衬底需求，三安光电也将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，规划总投资70亿人民币，占地276亩，采取一次建设分期投产方式，规划达产年生产能力为8英寸SiC衬底48万片，合资公司将与湖南三安签订长期SiC衬底供应协议。
为推进SiC衬底制造厂项目实施，湖南三安半导体有限责任公司于2023年7月全资设立重庆三安半导体有限责任公司，注册资本18亿人民币。（集邦化合物半导体Zac整理）
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