2023年底至2024年初，当人们欢天喜地迎新春之际，SiC产业同样一片火热，扩产、合作、融资、技术突破、新品发布等各种好戏轮番上演，共促SiC全产业链蓬勃发展。
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SiC项目进展
1月18日，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司（以下简称博蓝特）在实地考察中，与江苏镇江丹阳市延陵镇就博蓝特第三代半导体碳化硅（SiC）衬底项目落地延陵镇进行了深度洽谈，博蓝特计划在延陵镇投资10亿元建设年产25万片的6-8英寸碳化硅衬底项目。
一个投资10亿元、年产数十万片SiC衬底的大项目将落地延陵镇，将为当地经济发展注入新的活力，也将为国内SiC产业发展注入强劲动力。
目前业内普遍认为，SiC衬底处于供不应求状态，年产数十万片SiC衬底产能将在一定程度上缓解相关产品供需紧张状态。也正是因为SiC衬底、芯片等产能不足，吸引了大批厂商前赴后继加入扩产行列。
仅从2023年12月初到2024年1月中旬的一个多月时间，就有十多个SiC相关项目迎来新进展，或签约落地、或中期验收、或竣工投产，各大厂商忙的不亦乐乎，这些项目当中，不乏投资超过10亿甚至数十亿的大手笔。
其中，大江半导体新建SiC项目近日在浙江省发改委官网公示，总投资达38亿元，项目建成后，具有年产SiC功率模块240万个的产能。较高的投资额和较大的产能，使得该项目在业内引发广泛关注。
此外，投资额同为15亿元，吉盛微武汉SiC制造基地于12月8日启用，汉轩车规级功率器件制造项目在12月18日开工，前者将致力于推进关键半导体设备的国产化，后者则将推动车规级功率器件国产化进程。
值得一提的是，12月28日，天科合达SiC晶片二期扩产项目全面封顶。该项目总投资8.3亿元，预计2024年6月竣工，全部达产后年产SiC衬底16万片。
2023年5月，天科合达已与英飞凌签订了一份长期供货协议，天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸SiC衬底，其供应量将占英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。英飞凌位于马来西亚的SiC工厂计划于2024年投产，届时，天科合达已竣工的SiC二期扩产项目将在一定程度上保障英飞凌工厂的SiC衬底供应。
SiC新品动态
扩产是为了满足SiC产业未来市场需求所进行的前瞻性布局，需要时间去产出硕果，在投资扩产的同时，各类SiC新品层出不穷。
其中，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩ TO-263-7封装SiC MOSFET器件、南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）都已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。通过该认证，芯塔电子和南瑞半导体跻身国内少数SiC功率器件产品取得车规级认证的厂商之列，也意味着相关产品的市场竞争力再上一个台阶。
值得一提的是，日本晶圆设备制造商DISCO于2023年12月推出新型SiC切割设备DDS2020，支持切割8英寸SiC材料，可将SiC晶圆的切割速度提高10倍，首批产品已交付客户。该晶圆切割设备采用了新的断裂机制，在低负荷下实现了对SiC材料的切割。
SiC技术突破
技术和产品相生相伴，产品研发的进程，也是技术突破的过程。
12月12日，创锐光谱官宣在SiC衬底晶圆位错缺陷的无损光学检测技术方面取得突破性进展，并将同步推出SiC衬底晶圆位错无损检测专用设备。据悉，该技术基于瞬态激发和散射光谱原理，采用大面积光学成像，实现了SiC衬底晶圆位错缺陷的高速、精准、非接触式的无损光学检测。结合AI识别，可对衬底晶圆中的BPD、TSD、TED等缺陷实现精准的识别和分类。
通用智能则在12月16日将自主研发的8英寸SiC晶锭剥离产线正式交付客户。通用智能采用激光隐切技术完成SiC晶锭分割工艺过程，成功实现8英寸SiC晶锭剥离设备的量产。
据悉，激光隐形切割是一种先用激光能量切割晶圆的内部，再向贴附在背面的胶带施加外部压力，使其断裂，从而分离芯片的方法。当向背面的胶带施加压力时，由于胶带的拉伸，晶圆将会瞬间向上隆起，从而使芯片分离。相对传统的激光切割法，SD的优点包括：没有硅碎屑；切口窄，可以获得更多芯片；此外，使用SD方法剥落和裂纹现象也将减少，提高了晶圆切割整体质量。
SiC融资风云
无论是开发出契合市场与用户需求的好产品，还是取得重大技术突破，都有机会成为资本市场的宠儿。近期，优质厂商的融资也是持续不断。
众多厂商当中，德智新材、超芯星、清纯半导体均在12月完成了数亿元融资，成为融资能力方面的佼佼者。
其中，超芯星是一家成立于2019年4月的初创企业，但已成长为国内极少数具备国际竞争力的SiC衬底供应商，拥有多种技术路线，在核心装备、智能制造、生长工艺、加工技术、产品检测、模拟仿真等方向拥有先进的核心技术。得益于此，超芯星成立至今已完成5轮融资。
而成立于2021年3月的清纯半导体已完成4轮融资，是目前国内极少数能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、基于国内产线量产车规级SiC MOSFET的企业。
SiC合作共赢
强强联合使双方具备更多优势，各大SiC厂商正在从技术、产品、市场等多方面寻求合作共赢。
其中，罗姆和东芝、IME和centrotherm、世纪金芯和湖南S公司、芯塔电子和中科海奥等更多是在技术方面展开合作，Luminus和湖南三安将合力开拓市场，理想汽车则致力于扩大供货渠道。
值得一提的是，理想汽车已和安森美、意法半导体两大国际巨头分别签署了SiC长期供货协议。理想汽车目前在国内新能源汽车领域发展势头良好，正在积极将SiC功率器件引入旗下车型中，需求日益增长，提前锁定国际巨头SiC器件产能是明智之举。与理想汽车合作，也有利于国际厂商在国内SiC市场深度渗透。
总结
在新能源汽车、光储充、5G通信、轨道交通等领域广阔的应用前景为SiC产业带来了巨大发展空间，SiC由此成为全球最热门的投资领域之一，SiC产业有望在未来一段时间继续保持较快增长态势。
SiC产业持续升温将引来更多入局者，老玩家们也将持续加码，火热、高潮迭起将成为常态，市场竞争也将日趋激烈。（文：集邦化合物半导体Zac）
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