据金龙湖发布消息，12月28日，天科合达碳化硅（SiC）晶片二期扩产项目全面封顶。
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据介绍，天科合达SiC晶片二期项目由江苏天科合达半导体有限公司投资建设，总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，购置安装单晶生长炉及配套的多线切割机，外圆及平面磨床，双磨研磨机等主要生产设备以及配套动力辅助设备合计647台（套），核心生产区洁净度达到百级，预计2024年6月竣工。
全部达产后年产SiC衬底16万片。将大大满足节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，优化国内SiC晶片供应链，提升国内SiC晶片供应能力。
据悉，江苏天科合达半导体有限公司是北京天科合达半导体股份有限公司全资子公司。北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体SiC衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业，国家工级专精特新“小巨人”企业，其导电型晶片市场占有率在全球、全国处于领先地位。
徐州发布消息显示，2023年8月8日，江苏天科合达半导体有限公司SiC晶片二期扩产项目在徐州经开区开工。
项目承建方中建一局一公司负责人仇宏海在接受记者采访时说道：“历时143天，1号、2号厂房主体工程已实现全面封顶。”
江苏天科合达二期扩产项目投产后，将进一步壮大徐州SiC产业规模、助推徐州成为淮海经济区乃至全国的第三代半导体产业高地。项目预计明年下半年投产（试产）。
来源：金龙湖发布、集邦化合物半导体整理
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