12月7日,根据外国媒体报道,为巩固自身在电动汽车零部件领域的地位,罗姆(ROHM)和东芝宣布将合作生产碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半导体器件,这一计划得到了日本政府的支持。
ROHM和东芝将分别对SiC和Si功率器件进行密集投资,两者将依据对方生产力优势进行互补,有效提高供应能力。
两家公司计划在合作项目上花费3883亿日元(折合人民币约193亿元),其中日本政府可提供最高1294亿日元(折合人民币约64亿元)的补贴,资金占比高达1/3。罗姆旗下位于宫崎县的工厂将负责生产SiC功率器件和SiC晶圆,而东芝旗下位于石川县的工厂将以生产Si芯片为主。
source:Rohm
据悉,制作SiC功率器件是ROHM的强项,产品的能量转换效率高。而东芝在传统的Si器件领域实力雄厚,可为包括铁路和电力公司在内的多个客户提供服务。未来,这两家公司将在产品开发、生产和销售方面进行紧密协作。
值得一提的是,东芝将于12月20日实现私有化,由Japan Industrial Partners牵头的日本国内财团斥资2万亿日元(折合人民币约994亿元)收购。而ROHM是该财团最大的投资者,将出资3000亿日元(折合人民币约149亿元)购买优先股和普通股。
此外,ROHM计划在2027财年之前,对SiC业务整体投资5100亿日元(折合人民币约254亿元),到2027财年,SiC功率器件的销售额将增长到2700亿日元(折合人民币约134亿元),是2022财年的9倍。由东芝负责传统的Si半导体业务将使罗姆公司能够把投资重点放在更尖端的SiC产品上。(集邦化合物半导体Rick编译)
更多SiC和GaN的市场资讯,请关注微信公众账号:集邦化合物半导体。