11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构，自主设计的新型终端结构具有更高的工艺可靠性，在同等耐压水平下，体积更小，可应用于新能源汽车主驱逆变器等车载电源系统。
作为一家由中国一汽、东风公司、南方工业集团、长安汽车和南京江宁经开科技共同出资设立的创新型汽车高科技企业，研发绿色低碳的汽车技术是中汽创智的业务方向之一，首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET下线，意味着中汽创智有更强的SiC MOSFET产品实力与新能源汽车厂商合作。
目前，SiC MOSFET产品在新能源汽车领域主要应用场景包括功率逆变器、DC/DC转换器、车载充电器等，具有较大的发展潜力，新能源汽车主流厂商正在将SiC MOSFET产品引入到旗下车型中，这给中汽创智SiC MOSFET相关产品提供了较多合作机会。
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本次SiC MOSFET下线仪式现场，中汽创智和积塔半导体进行了战略合作签约。据中汽创智介绍，该公司通过以SiC模块为切入点，快速形成SiC功率模块封装、测试能力和基于SiC技术的车载集成电源系统开发能力，逐步建立起从上游芯片设计、模块封装，到下游应用支持的“一站式” 能力。与积塔半导体合作，中汽创智能同时得到技术支持与产能保障。
资料显示，积塔半导体在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区，已建和在建产能共计28万片/月（折合8英寸计算），其中6英寸7万片/月、8英寸11万片/月、12英寸5万片/月、SiC 3万片/月。积塔半导体是国内较早具备SiC功率器件制造能力的企业，工艺技术平台覆盖JBS和MOSFET等，已建成自主知识产权的车规级650V/750V/1200V SiC JBS工艺平台、650V/750V/1200V SiC MOSFET工艺平台。
强强合作是企业巩固市场地位的有效手段，与中汽创智合作，有助于积塔半导体在车规级SiC MOSFET产品市场占据一席之地。今年1月，积塔半导体曾与吉利集团签订战略合作协议，双方将围绕车规级芯片研发、制造、市场应用等领域开展全面合作，共同致力于车规级芯片产业的协同发展。未来，积塔半导体大概率将与更多车企携手。
而与积塔半导体战略合作，中汽创智获得了第三代半导体上游资源，有助于推出更多自研SiC MOSFET产品，拓展下游应用市场。（集邦化合物半导体Zac整理）
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