11月24日，苏州锴威特半导体股份有限公司接受投资者调研，公司就研发方向、技术储备、产品布局等投资者关心的问题进行了解答。
研发方面，锴威特表示，公司截止三季度的研发费用投入总计达2,768万元，同比增长了70.26%，研发投入占前三季度内营收的16.95%，同比增加7.68个百分点，研发投入增长系公司加大了功率IC和SiC MOSFET等新品研发投入。其中，在SiC功率器件方面，公司将在现有设计及工艺平台基础上，围绕新能源汽车、光伏发电应用领域等，展开产品系列化研发及可靠性改善提升的研究，不断丰富产品系列。
技术方面，锴威特表示，公司在超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiC MOSFET等方面已取得深厚技术积累，超高压平面MOSFET最高耐压已达1700V，同时具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力，产品已覆盖业内主流电压段，可用于新能源汽车领域。
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产品方面，锴威特表示，公司SiC功率器件已顺利实现产品布局，进入产业化阶段，针对SiC功率器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入，已推出650V-1700V SiC MOSFET产品系列。未来，公司还将进一步促进第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级。
资料显示，锴威特成立于2015年，专注于智能功率半导体器件与功率集成芯片设计、研发和销售，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，现已形成包括平面MOSFET、快恢复高压MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款产品。
2023年8月18日，锴威特在上海证券交易所科创板正式挂牌上市。
锴威特2023年第三季度报告显示，公司2023年第三季度营收约3005.32万元，同比减少46.40%，主要系本报告期下游市场需求下滑所致；归属于上市公司股东的净利润约-752.22万元，同比减少168.84%，主要系公司销量有所下降、研发费用增长所致。
目前，尽管锴威特业绩表现不佳，但随着其SiC功率器件进入产业化阶段，叠加新能源汽车、光伏能源、高压电网等领域发展带动SiC功率器件需求上涨，锴威特有望迎来业绩拐点。（集邦化合物半导体Zac整理）
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