近日，基本半导体推出汽车级DCM碳化硅（SiC）MOSFET系列模块Pcore™2，是专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度碳化硅功率模块，产品型号包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4。
据介绍，该产品为业内主流DCM封装模块，采用有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
资料显示，基本半导体从事碳化硅功率器件的研发与产业化，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等。
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据悉，今年基本半导体还将推出更大导通电流、更低导通电阻以及更高耐压的1200V/18mΩ和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列产品，并开发了2000V/40A碳化硅二极管芯片进行配合使用。
碳化硅MOSFET作为一种新型功率器件，目前已经应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电及储能、高压电网等领域，相较于硅基功率器件，有很多优势。其中，碳化硅MOSFET在高温下仍然可以正常工作，具有更高的热稳定性，可用于高温、高压环境；碳化硅MOSFET导通电阻比硅MOSFET低得多，可以实现更小的导通损耗；碳化硅MOSFET采用了更小尺寸的芯片，相同功率的器件尺寸更小、重量更轻，可以提高功率器件的集成度。
目前，碳化硅MOSFET在某些方面也存在不足之处。例如，碳化硅MOSFET制造需要采用较高难度的材料和工艺，制造成本较高；其可靠性有待提高，材料、制造工艺等还有一些待解决的问题，如材料的缺陷、器件的寿命等问题。
随着技术和工艺不断升级，成本等问题得到一定程度的解决后，碳化硅MOSFET将会得到更广泛的推广应用，相关厂商也会有更多优质产品问世。（集邦化合物半导体Zac整理）
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