北京时间9月20日，英飞凌宣布与深圳英飞源（Infypower）合作，其将为 INFY 提供业界领先的 1200 V CoolSiC™MOSFET 功率半导体器件，以提高电动汽车充电站的效率。
据介绍，通过集成英飞凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower的30 kW直流充电模块提供宽广的恒定功率范围、高功率密度、最小的电磁辐射和干扰、高防护性能和高可靠性。
SiC的高功率密度有助于开发高性能、轻量化、紧凑型充电器，特别是超级充电站和超紧凑壁挂式直流充电站。与传统的硅基解决方案相比，电动汽车充电站中的碳化硅技术可将效率提高 1%，从而减少能源损失和运营成本。对于一个 100 kW 的充电站来说，这相当于节省 1 kWh 的电量，每年节省 270 欧元，减少碳排放 3.5 吨。
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深圳英飞源技术有限公司是全球领先的电能变换产品及系统解决方案提供商，公司以电力电子及智能控制技术为核心，专注于储能、充电等新能源领域电源设备的研发、生产、销售与服务。产品包括电能变换模块、充电系统、储能系统，并为客户提供基于各类应用场景的专业解决方案。
根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处报告《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。
与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。
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