据外媒报道，纳微半导体正计划在欧洲和美国扩大其氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生产能力，以减少对台厂的依赖。
据悉，纳微目前的SiC及GaN分别由X-Fab和台积电代工，其中，SiC器件在X-Fab的美国德州（Lubbock, Texas）工厂生产，GaN在台积电的台北新竹二厂生产，采用的是500nm工艺设备。
外媒称，在上周发布GaNSafe™技术之后，纳微透露了计划扩产这个消息。具体而言，纳微正在寻找新的晶圆代工合作伙伴来生产SiC/GaN芯片。
纳微副总裁Stephen Oliver 透露，公司不希望增加固定成本，所以最有可能是与现有晶圆代工厂合作，但其也提到需要真正前沿的人才。
纳微保证，未来GaN产能将是2022年其在台积电产能的3倍，SiC产能将是2022年在X-Fab产能的5倍。
除此之外，纳微也在寻求与模块厂就GaNSafe™技术达成合作，根据Oliver透露，纳微后续将开始向模块厂销售芯片。
据了解，纳微于9月6日正式发布GaNSafe™功率平台，借此正式吹响GaN进军数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景的号角。（文：集邦化合物半导体Jenny编译）
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