据外媒报道，纳微半导体日前宣布了SiC外延片产能建设计划，以加强对产业链控制、减少成本并提高其GeneSiC碳化硅业务的营收能力。
根据规划，公司将投资2000万美元，在位于加利福尼亚州托伦斯的总部建立一个三反应腔的SiC外延生长设施，第一台具有6、8英寸晶圆处理能力的AIXTRON G10-SiC外延设备预计将于2024年安装到位并投产。
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纳微半导体将其新设施提供的外延片制造视为关键工艺步骤，可以支持高达2亿美元的额外年产量。该公司同时预计，将继续使用第三方供应商进行额外的外延生长、晶圆制造和封装操作。
纳微半导体首席运营官/首席技术官兼联合创始人Dan Kinzer表示：“在原始SiC衬底上生长高质量的外延层是单个设备制造的关键工艺步骤，将AIXTRON提供的能力添加到现有的分包工艺流程中可扩大可用产能，降低成品晶圆成本，增加质量并缩短周期时间” 。
2022年8月，纳微半导体并购了GeneSiC碳化硅公司，将原本的GaNFast氮化镓功率芯片产品线扩展，新增GeneSiC碳化硅产品线，纳微第三代半导体采用“双引擎战略”推进。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）
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