近日，国家科技部公布了2022年国家重点研发计划立项资助名单。55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批。
“宽带射频功率放大器”项目基于第三代半导体GaN开展超宽带射频功率管的设计与制造研究，计划研究一套宽频带射频功率放大器，实现宽带射频功放在超高场磁共振的工程应用，为提升我国科学仪器自主创新能力和装备水平提供强力支撑。
国家重点研发计划项目是针对事关国计民生的重大社会公益性研究，以及事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的战略性、基础性、前瞻性重大科学问题、重大共性关键技术和产品，为国民经济和社会发展主要领域提供持续性的支撑和引领。
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此次55所牵头承担国家重点研发计划项目，进一步体现了在第三代半导体领域的优势地位。后续，项目团队将坚持“四个面向”，集聚力量进行原创性引领性科技攻关，持续开拓创新，突破关键技术，加快实现高水平科技自立自强。
值得注意的是，就在上周，中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破，牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目，获得国家科技部“高性能制造技术与重大装备”重点专项立项。
项目将由48所联合国内高校、研究所及专业公司协同攻关，利用48所的技术优势，充分发挥国家第三代半导体技术创新中心（湖南）平台作用，奋力突破一批关键核心技术与工艺难题，为实现我国MBE技术和装备的跨越式发展提供有力支撑。（文：集邦化合物半导体 Cecilia整理）
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