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新凯来、电科装备、高测股份大动作，瞄准第三代半导体等发展
作者 |发布日期 2025 年 03 月 27 日 12:34 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025正如火如荼在上海召开，半导体设备参展厂商活跃，吸引观众驻足。值得一提的是，本次展会上，围绕第三代半导体等领域，包括新凯来、电科装备、高测股份等在内的多家半导体设备厂商拿出了最新产品与方案。 1、新凯来展示多款半导体设备，涉及第三代半导体领域！ ...  [详内文]

日本住友利用二英寸金刚石衬底制备出氮化镓器件
作者 |发布日期 2025 年 03 月 27 日 12:02 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
日本住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric）近日宣布，其与大阪公立大学的研究团队在功率半导体领域取得重大突破——成功在直径两英寸的多晶金刚石（PCD）基板上研制出高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管。 该创新成果通过革命性散热架构设计，将器件热阻降至传统硅基...  [详内文]

三家碳化硅厂商获得新一轮融资
作者 |发布日期 2025 年 03 月 27 日 12:01 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期，三家碳化硅相关公司获得新一轮融资，分别是优睿谱、科瑞尔与芯湛。 其中，优睿谱新一轮融资由合肥产投独家投资，该公司是一家半导体前道量测设备研发商，致力于打造高品质的半导体前道量测设备。 碳化硅业务方面，优睿谱SICD200设备已成功交付客户，这是一款碳化硅衬底晶圆位错及微管检...  [详内文]

碳化硅和氮化镓的专利井喷，第三代半导体产业进阶
作者 |发布日期 2025 年 03 月 26 日 13:52 | 分类 企业
近日，碳化硅和氮化镓领域频传专利突破喜讯，多家企业和研究机构取得关键进展，为半导体行业的发展注入新动力。 这些专利成果聚焦于材料制备、器件制造以及应用拓展等核心环节，有望推动相关技术的产业化应用，提升产业竞争力。 1、材料制备革新 3 月 24 日，国家知识产权局信息显示，成都天...  [详内文]

天岳先进、西湖仪器12英寸碳化硅领域新动态！
作者 |发布日期 2025 年 03 月 26 日 13:47 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
在全球新能源汽车、光伏储能、轨道交通等产业需求爆发的背景下，第三代半导体材料碳化硅（SiC）正成为半导体领域的新主角。当前，12英寸碳化硅领域的研发与量产能力，已成为衡量第三代半导体行业竞争力的重要标尺，吸引多家厂商布局。近期，西湖仪器、天岳先进传出新动态。 1、西湖仪器率先实现...  [详内文]

涉及碳化硅，总投资3亿元的半导体智能制造项目落户湖北
作者 |发布日期 2025 年 03 月 26 日 13:43 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
3月24日上午，湖北阳新县人民政府与江苏卓远半导体有限公司在江苏省如皋市隆重举行项目签约仪式，总投资3亿元的“卓远半导体项目”正式签约落户阳新经济开发区。 根据协议内容，江苏卓远半导体将在阳新设立全资子公司，重点布局三代半导体核心装备研发制造，涵盖MPCVD金刚石长晶设备、碳化硅...  [详内文]

EV不振、产能过剩，日美欧功率半导体厂抑制投资
作者 |发布日期 2025 年 03 月 25 日 13:38 | 分类 企业 , 功率
近期，外媒报道，因电动汽车市场成长较预期放缓，功率半导体产能过剩，这一背景下，日美欧功率半导体厂抑制投资， 其中，日本瑞萨电子（Renesas Electronics）调降稼动率（产能利用率），上季（2024年10-12月）稼动率降至3成左右。而瑞萨原先计划在2025年初期利用甲...  [详内文]

国内又一碳化硅厂商“上车”，清纯半导体通过大众集团POT审核
作者 |发布日期 2025 年 03 月 25 日 13:38 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
3月24日消息，清纯半导体继2024年12月与大众汽车（中国）科技有限公司签署SiC合作开发框架协议后，2025年3月19日通过大众集团POT审核，进入大众集团全球供应商体系。 清纯半导体表示，大众汽车深耕中国市场，始终秉持“In China, For China”的理念，与中国...  [详内文]

国内两项碳化硅相关技术迎来新突破！
作者 |发布日期 2025 年 03 月 25 日 13:37 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
受益于新能源汽车等应用推动，近年我国碳化硅市场需求持续上升，国内厂商碳化硅技术突破捷报频传。近期，又有两家公司传出新进展：晶驰机电成功开发出电阻法12寸碳化硅晶体生长设备，实现碳化硅晶体生长技术新突破；臻晶半导体自主研发液相法碳化硅电阻炉技术，突破行业瓶颈。 1、晶驰机电成功开发...  [详内文]

全球首创！我国九峰山实验室在氮化镓材料新突破
作者 |发布日期 2025 年 03 月 24 日 14:17 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
据九峰山实验室3月22日消息，九峰山实验室的科研团队在全球首创性地实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备，这一成果不仅标志着我国在半导体材料领域的重大进步，更为未来诸多前沿技术的发展奠定了坚实基础。 1、技术突破：氮极性氮化镓材料的制备 ...  [详内文]